处理中...

首页  >  产品百科  >  K3216-01-VB

K3216-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,70A,RDS(ON),17mΩ@10V,20Vgs(±V);3.7Vth(V) 封装:TO220适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。
供应商型号: K3216-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3216-01-VB

K3216-01-VB概述

    K3216-01-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3216-01-VB 是一款高性能的 N-Channel 100-V(D-S)MOSFET,采用了先进的 TrenchFET® 功率 MOSFET 技术。这款 MOSFET 适用于隔离式直流-直流转换器等多种应用领域。其主要功能包括提供高电流能力和低导通电阻,使其成为高压功率管理应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 额定电压:100V
    - 最大栅极-源极电压:±20V
    - 最大连续漏极电流(TJ = 175 °C):70A
    - 最大脉冲漏极电流:145A
    - 最大单脉冲雪崩能量:60mJ
    - 最大热阻抗(PCB安装):40°C/W
    - 正向压降:1.0V 至 1.5V(IS = 58A,VGS = 0V)
    - 反向恢复时间:130ns 至 200ns(IF = 30A,di/dt = 100A/µs)

    3. 产品特点和优势


    K3216-01-VB 的主要特点和优势包括:
    - 高温耐受能力:支持高达 175°C 的结温,适合恶劣环境下的应用。
    - 低热阻封装:采用低热阻封装,提高了散热效率。
    - 100% 测试:所有组件都经过严格的栅极电阻测试,确保产品质量。
    - 优良的动态性能:具有较低的输入电容、输出电容和反向传输电容,提升了系统的整体性能。

    4. 应用案例和使用建议


    K3216-01-VB 广泛应用于隔离式直流-直流转换器等领域。以下是实际应用中的一些建议:
    - 在使用过程中,应考虑系统的散热需求,特别是在高温环境下使用时。
    - 确保适当的栅极驱动电路设计,以避免过高的栅极电压导致器件损坏。
    - 在进行系统集成时,建议使用热阻较低的 PCB 材料和良好的散热设计,以提高器件的可靠性和稳定性。

    5. 兼容性和支持


    K3216-01-VB 采用标准 TO-220AB 封装,易于与现有系统集成。VBsemi 提供全方位的技术支持,包括产品选型指导、应用技术支持及售后维护服务。客户可以通过服务热线 400-655-8788 获得更多帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何避免 MOSFET 过热?
    A: 使用合适的散热措施,如使用大面积铜箔和有效的散热片,以及选择热阻较低的 PCB 材料。
    - Q:如何正确设置栅极驱动电压?
    A: 应确保栅极驱动电压不超过器件的最大额定值,并尽量减小驱动电阻,以降低开关损耗。
    - Q:在极端温度条件下使用时需要注意什么?
    A: 应确保工作温度不超过器件的额定范围,并采用相应的散热措施以保证器件正常运行。

    7. 总结和推荐


    K3216-01-VB N-Channel 100-V MOSFET 凭借其卓越的性能、可靠性和广泛的应用范围,是一款非常值得推荐的产品。无论是用于隔离式直流-直流转换器还是其他高压功率管理应用,K3216-01-VB 都能提供出色的性能表现。强烈推荐将其纳入高压功率管理项目的元件清单中。

K3216-01-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 10V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3216-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3216-01-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3216-01-VB K3216-01-VB数据手册

K3216-01-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336