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FZ42-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: FZ42-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FZ42-VB

FZ42-VB概述

    FZ42-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FZ42-VB 是一款N通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种应用领域,如电源转换、电机控制、汽车电子等。该产品采用了表面贴装技术(Surface Mount),并且以卷带形式提供,方便自动化生产和装配。

    2. 技术参数


    以下是FZ42-VB的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (TC=25 °C): 50 A
    - 脉冲漏极电流 (TC=100 °C): 36 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 400 mJ
    - 最大功率耗散 (TC=25 °C): 150 W
    - 热阻 (最大结到环境): 62 °C/W
    - 结温范围: -55 °C 到 +175 °C
    - 电气特性:
    - 静态漏源击穿电压 (VDS): 60 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.0 V 至 2.5 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 25 μA
    - 导通电阻 (RDS(on) @ VGS=10 V): 0.024 Ω
    - 导通电阻 (RDS(on) @ VGS=4.5 V): 0.028 Ω
    - 动态输入电容 (Ciss): 190 pF
    - 动态输出电容 (Coss):
    - 反向转移电容 (Crss):
    - 总栅极电荷 (Qg @ VGS=5.0 V): 66 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 17 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)): 2 ns

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料:符合RoHS和IEC 61249-2-21标准,不含卤素。
    - 逻辑级门驱动:支持低电压操作,易于集成。
    - 快速开关:低开启和关闭延迟时间,适合高频应用。
    - 动态dv/dt评级:提高系统的可靠性。
    - 表面贴装:适合自动化生产。

    4. 应用案例和使用建议


    FZ42-VB 通常用于电源管理电路中,例如DC-DC转换器、马达控制器和电池充电器。在实际应用中,可以通过合理的电路设计降低寄生电感,以优化性能。例如,采用低寄生电感布局和地平面设计可以减少杂散电感对开关速度的影响。

    5. 兼容性和支持


    FZ42-VB 与其他符合标准的电子元器件兼容,可用于各种电路板设计。制造商提供了详细的技术支持和文档,以确保用户能够正确安装和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:产品如何进行热管理?
    解答:确保散热器适当安装,并且电路板设计能够有效散热。使用适当的PCB材料和布局可以进一步提高散热效率。

    - 问题:如何确定栅极驱动电压?
    解答:根据具体的电路需求和负载情况选择合适的栅极驱动电压,确保在允许的范围内操作。

    7. 总结和推荐


    总体而言,FZ42-VB 是一款高性能的N通道MOSFET,具有出色的电气特性和广泛的应用范围。通过合理的设计和布局,可以在多种应用场景中发挥其优势。因此,强烈推荐使用该产品,特别是对于需要高可靠性和高效率的应用场合。

FZ42-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FZ42-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FZ42-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FZ42-VB FZ42-VB数据手册

FZ42-VB封装设计

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