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IRL3714ZSTRR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: IRL3714ZSTRR-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL3714ZSTRR-VB

IRL3714ZSTRR-VB概述

    IRL3714ZSTRR-VB MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:IRL3714ZSTRR-VB 是一款采用沟槽工艺制造的N沟道增强型30V MOSFET(场效应晶体管)。
    主要功能:此器件具有出色的导通电阻和低栅极电荷特性,适用于多种电源管理和切换应用。
    应用领域:广泛应用于服务器电源管理、OR-ing电路、直流-直流转换等领域。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):
    - @ 25°C 时 90A
    - @ 70°C 时 46A
    - 脉冲漏电流 (IDM):210A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):3A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):94.8mJ
    - 最大功耗 (PD):
    - @ 25°C 时 120W
    - @ 70°C 时 85W
    - 结温范围 (TJ):-55°C 到 175°C
    - 热阻抗 (RthJA):@ t ≤ 10秒 为 32-40°C/W
    - 热阻抗 (RthJC):@ 稳态时 为 0.5-0.6°C/W

    3. 产品特点和优势


    TrenchFET® 功率MOSFET:先进的沟槽工艺,保证低导通电阻和高效率。
    100% Rg 和 UIS 测试:确保每个器件的可靠性和性能。
    RoHS合规:符合欧盟RoHS指令,环保安全。
    低导通电阻 (RDS(on)):@ 10V VGS 时为 0.012Ω,@ 4.5V VGS 时为 0.018Ω,非常适合高效率应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:IRL3714ZSTRR-VB 在服务器电源管理系统中的表现尤为出色,可以显著提升系统的整体效率。
    使用建议:由于其高效的热性能,建议在较高功率应用中添加额外散热措施,以保持器件的最佳工作状态。对于温度敏感的应用,应考虑使用更大的散热片或附加散热风扇。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:IRL3714ZSTRR-VB 采用标准的D2PAK封装,易于与其他元器件集成。
    支持信息:制造商提供详尽的技术文档和支持,用户可以通过服务热线 400-655-8788 获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流应用中,IRL3714ZSTRR-VB 的结温升高。
    - 解决方案:增加散热措施,如添加散热片或外部风扇。
    - 问题:器件在启动时出现短暂的电流峰值。
    - 解决方案:使用合适的栅极驱动器,并适当调整栅极电阻。

    7. 总结和推荐


    综合评估:IRL3714ZSTRR-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、优秀的热性能和良好的可靠性,非常适合用于高效率的电源管理应用。
    推荐:鉴于其卓越的表现和适用性,强烈推荐在需要高效能、高可靠性的电源管理领域使用IRL3714ZSTRR-VB。
    以上是对IRL3714ZSTRR-VB的技术手册的整理与分析,希望能为您提供有价值的参考信息。

IRL3714ZSTRR-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,19mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL3714ZSTRR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL3714ZSTRR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL3714ZSTRR-VB IRL3714ZSTRR-VB数据手册

IRL3714ZSTRR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
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