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AF2301PWLA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: AF2301PWLA-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AF2301PWLA-VB

AF2301PWLA-VB概述

    # 产品介绍

    产品简介


    P-Channel 20-V MOSFET(AF2301PWLA)是一款高效能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有卓越的导电性能和低导通电阻。这种类型的MOSFET广泛应用于负载开关、PA开关以及DC/DC转换器等场合,是现代电子设备中不可或缺的组件之一。

    技术参数


    以下是AF2301PWLA的详细技术规格和性能参数:
    - 最大栅源电压 (VGS):± 12 V
    - 最大漏源电压 (VDS):-20 V
    - 最大连续漏电流 (ID):
    - TC = 25°C 时:-5 A
    - TC = 70°C 时:-4.8 A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):-18 A
    - 最大反向恢复时间 (trr):23 ns
    - 最大反向恢复电荷 (Qrr):12 nC
    - 输出电容 (Coss):180 pF
    - 输入电容 (Ciss):835 pF
    - 逆转移电容 (Crss):155 pF
    - 典型总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = -10 V, VGS = -4.5 V 时:10 nC
    - VDS = -10 V, VGS = -2.5 V 时:6.4 nC
    - 静态导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V 时:0.035 Ω
    - VGS = -4.5 V 时:0.043 Ω
    - VGS = -2.5 V 时:0.061 Ω
    - 工作环境温度范围:-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    AF2301PWLA MOSFET具有以下几个显著特点和优势:
    - 高效的导电性能和低导通电阻,保证了较高的能源效率。
    - 具有优异的温度稳定性,可以在广泛的温度范围内稳定工作。
    - 拥有高可靠性,完全符合RoHS和无卤素标准,适用于多种严格的工业应用。
    - 内置100% Rg测试,确保了产品的可靠性和一致性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:AF2301PWLA常用于电源管理和控制电路中,以切换负载的电源供应。
    - PA开关:适用于功率放大器的应用中,实现高效的信号开关操作。
    - DC/DC转换器:可用于各类电源转换装置中,提高能量转换效率。
    使用建议
    - 在设计电路时,应根据具体应用场景选择合适的栅极驱动电压和电流限制,确保不会超过MOSFET的最大额定值。
    - 在高频应用中,需要考虑MOSFET的栅极电容和寄生电容的影响,适当增加栅极电阻以降低振铃现象。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热措施,避免因过热而导致的性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:AF2301PWLA与常见的PCB尺寸和焊盘布局兼容,可直接替换其他品牌的同类产品。
    - 支持和维护:制造商提供详尽的技术支持文档和客户咨询服务,以帮助用户解决使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热问题导致性能下降 | 采取有效的散热措施,如加装散热片或风扇,确保器件处于正常工作温度范围内。 |
    | 栅极驱动电压不足导致无法正常开启 | 检查栅极驱动电路,确保栅极电压达到额定要求。 |
    | 反向恢复电流过高引起干扰 | 调整电路设计,减少反向恢复电流的影响,例如使用肖特基二极管辅助保护。 |

    总结和推荐


    总体来看,AF2301PWLA是一款高性能的P-Channel 20-V MOSFET,适用于多种电子设备和系统。它的优良性能和高可靠性使其成为众多应用场合的理想选择。如果你正在寻找一款高效、可靠的MOSFET,AF2301PWLA无疑是一个值得推荐的产品。

AF2301PWLA-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

AF2301PWLA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AF2301PWLA-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 AF2301PWLA-VB AF2301PWLA-VB数据手册

AF2301PWLA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.207
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