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2SK3153-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,50A,RDS(ON),40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 2SK3153-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3153-VB

2SK3153-VB概述

    2SK3153-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK3153-VB 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N 沟道 100V(D-S)功率 MOSFET。它广泛应用于隔离式直流-直流转换器等电源管理系统中。这款器件以其高可靠性、低热阻封装和优异的电气特性而著称。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | - | - | 100 | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | - | - | - | V |
    | 栅极-体泄漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 零栅极电压漏电流 | IDSS | - | - | 1 | μA |
    | 导通漏电流 | ID(on) | - | - | 120 | A |
    | 导通电阻 | rDS(on) | - | 0.034 | 0.084 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 5100 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 480 | pF |
    | 转移电容 | Crss | - | - | 210 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 90 | 130 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 23 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 34 | - | nC |
    | 热阻 | RthJA | - | - | 40 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    - 高温度耐受性:支持高达 175°C 的结温,适用于高温环境。
    - 低热阻封装:RthJA 仅为 40°C/W,有助于高效散热,提高可靠性。
    - 100% Rg 测试:保证产品质量,确保性能稳定。
    - 优越的电气特性:低导通电阻(典型值 0.034Ω),高击穿电压(100V)。
    - 快速开关特性:适用于高频开关应用,例如电源管理和电池充电系统。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:2SK3153-VB 在隔离式直流-直流转换器中广泛应用。它能在各种负载条件下保持稳定性能。
    - 使用建议:
    - 电路设计:使用较低的栅极电阻(如 2.5Ω),以加快开关速度并减少开关损耗。
    - 散热设计:使用较大面积的散热片或铜箔,确保良好的散热效果。
    - 测试验证:在设计阶段进行充分的可靠性测试,以确保在不同工作环境下表现良好。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2SK3153-VB 可与其他主流电源管理 IC 和控制器配合使用,易于集成到现有系统中。
    - 技术支持:VBsemi 提供全方位的技术支持,包括产品手册、应用指南和技术咨询。联系服务热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:在高频率开关时,MOSFET 温度过高。
    - 解决方案:增加散热措施,使用散热片和散热膏,确保良好的散热条件。
    - 问题 2:器件在高频开关时出现过冲现象。
    - 解决方案:减小栅极电阻,优化驱动电路设计,降低开关损耗。
    - 问题 3:导通电阻变大。
    - 解决方案:检查焊接质量,确保引脚焊接牢固;若有必要,重新进行焊接操作。

    7. 总结和推荐


    2SK3153-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有出色的电气特性和广泛的温度范围。它在多种应用场景中表现出色,特别适合用于高可靠性要求的场合。基于以上特点,强烈推荐使用 2SK3153-VB,尤其适用于隔离式直流-直流转换器等电源管理系统的应用。

2SK3153-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 50A
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@10V,48mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2SK3153-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3153-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3153-VB 2SK3153-VB数据手册

2SK3153-VB封装设计

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