处理中...

首页  >  产品百科  >  UTT120N06-VB

UTT120N06-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: UTT120N06-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT120N06-VB

UTT120N06-VB概述

    UTT120N06 N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    UTT120N06 是一种 N 沟道 60V(漏极-源极)功率 MOSFET,由台湾 VBsemi 公司制造。它采用先进的 TrenchFET® 技术,具备高耐温性(最高可达 175°C),适用于多种严苛环境下的应用。这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、电动车辆、工业控制及消费电子产品等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | 60 60 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流(TJ = 175°C)| ID | 120 | 90 | 70 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 350 | A |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | 1 | 50 | 250 | µA |
    | 漏源导通电阻(VGS = 10V, ID = 20A) | RDS(on) | 5 | 10 | 15 | mΩ |
    | 前向转移电导 | gfs | 60 S |
    | 输入电容 | Ciss | 6800 pF |
    | 输出电容 | Coss | 570 pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 325 pF |

    3. 产品特点和优势


    - 高耐温性:UTT120N06 支持高达 175°C 的工作温度,适用于高温环境。
    - TrenchFET® 技术:这种先进的技术使 MOSFET 在低电阻和高可靠性方面表现卓越。
    - 强大的电气特性:UTT120N06 具有出色的电气特性和较低的漏源导通电阻,能够承受较高的脉冲电流和电压。
    - 高可靠性:经过严格测试,确保在各种恶劣环境中可靠运行。

    4. 应用案例和使用建议


    UTT120N06 在电源管理和工业控制应用中表现出色。例如,在开关电源中,它可以有效降低能量损耗,提高转换效率。对于需要高电流处理能力的应用,可以并联多个 UTT120N06 来增加总电流承载能力。
    使用建议:
    - 在设计时,应考虑适当的散热措施以确保器件在高温环境下稳定运行。
    - 使用低阻抗栅极驱动器以减少开关损耗。
    - 注意并联 MOSFET 时的电流均衡问题。

    5. 兼容性和支持


    UTT120N06 与其他标准 TO-220AB 封装的 MOSFET 相互兼容,方便替换现有系统中的器件。制造商提供详尽的技术支持和客户服务,包括技术文档、应用指南和产品维护服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 减少开关频率或增加散热措施 |
    | 器件在高电流下性能下降 | 确保正确的散热设计,必要时采用外部散热器 |
    | 栅极驱动信号不稳定 | 使用高质量的栅极驱动器,减小栅极线路长度 |

    7. 总结和推荐


    UTT120N06 N-Channel 60V MOSFET 在电源管理和工业控制应用中表现出色,具有出色的耐温性、低导通电阻和强大的电气特性。我们强烈推荐这款器件给那些需要高效、可靠电力转换解决方案的设计者和工程师。如果您正在寻找一款能够在严苛环境下工作的高性能 MOSFET,UTT120N06 绝对是一个值得考虑的选择。

UTT120N06-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 120A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UTT120N06-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT120N06-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT120N06-VB UTT120N06-VB数据手册

UTT120N06-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504