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CSD17309Q3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。N沟道,30V,40A,RDS(ON),3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:QFN8(3X3)
供应商型号: 14M-CSD17309Q3-VB QFN8(3X3)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) CSD17309Q3-VB

CSD17309Q3-VB概述

    CSD17309Q3-VB N-Channel 30 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    CSD17309Q3-VB 是一款由 VBsemi 生产的高性能 N 沟道 30 V MOSFET。该产品采用 TrenchFET® 技术,具备低导通电阻(RDS(on))和高可靠性。广泛应用于电机控制、工业设备、负载开关以及 ORing 等场景。该产品还符合 RoHS 和无卤素标准,满足环保要求。

    技术参数


    以下是 CSD17309Q3-VB 的关键技术参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 30 | V |
    | 最大栅源电压 (VGS) | ± 20 | V |
    | 持续漏电流 (ID) | 22 | A (TA=25°C)|
    | 脉冲漏电流 (IDM) | 150 | A |
    | 连续源极-漏极二极管电流 (IS)| 35 | A (TA=25°C)|
    | 最大功率耗散 (PD) | 52 | W (TA=25°C)|
    | 静态阈值电压 (VGS(th)) | 0.5 ~ 1.5 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.0040 ~ 0.0050 | Ω (VGS=4.5V, ID=10A) |
    | 输入电容 (Ciss) | 406 | pF |
    | 输出电容 (Coss) | 360 | pF |
    | 传输电容 (Crss) | 68 ~ 102 | nC |
    | 门槛电压 (VGS(th)) | 0.5 ~ 1.5 | V |

    产品特点和优势


    CSD17309Q3-VB 具备以下特点和优势:
    1. 低导通电阻 (RDS(on)):在标准条件下,其导通电阻可低至 0.0040 Ω,提供高效能的电流路径。
    2. 快速开关速度:由于其较低的门电荷 (Qg),使得 CSD17309Q3-VB 在高速应用中表现出色。
    3. 高温稳定性:适用于 -55°C 至 150°C 的工作温度范围,确保在极端环境下也能可靠工作。
    4. 无卤素和 RoHS 符合性:满足现代环保要求,有助于实现绿色生产。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机控制:CSD17309Q3-VB 在电机控制系统中充当驱动开关,能够处理大电流并减少损耗。
    - 工业设备:作为电源转换系统的一部分,处理高电压和大电流的应用。
    - 负载开关:在负载开关中用于保护电路免受过压和过流的影响。
    - ORing:用于并联多个电源,以提高系统的冗余性和可靠性。
    使用建议
    - 在高功率应用中,建议采用额外的散热措施,如散热片或散热器,以保证其正常工作。
    - 确保栅极驱动电压符合推荐值,以避免损坏器件。
    - 在设计电路时,考虑输入和输出电容的作用,以减小瞬态响应时间。

    兼容性和支持


    - 兼容性:CSD17309Q3-VB 可与大多数工业标准接口兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持:VBsemi 提供全面的技术支持,包括在线文档、电话和技术支持服务。此外,用户还可以通过电话 400-655-8788 联系客户支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何选择合适的散热器?
    - 解答:选择散热器时,需考虑器件的最大功耗、工作温度范围以及热阻抗等因素。对于 CSD17309Q3-VB,推荐使用热阻小于 33 °C/W 的散热器。
    - 问题 2:如何避免器件过热?
    - 解答:确保良好的通风和散热条件,可以使用散热器或强制冷却系统。此外,尽量减少连续工作的电流和电压应力。

    总结和推荐


    综上所述,CSD17309Q3-VB N-Channel 30 V MOSFET 是一款性能优异、功能强大的电子元器件,适用于多种高功率应用场合。其低导通电阻、高可靠性及出色的高温稳定性使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效能、可靠性和环保特性的用户,我们强烈推荐使用此产品。
    如有任何疑问或技术支持需求,请联系 VBsemi 客户服务热线 400-655-8788。

CSD17309Q3-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 40A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3.9mΩ@10V,5mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

CSD17309Q3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

CSD17309Q3-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 CSD17309Q3-VB CSD17309Q3-VB数据手册

CSD17309Q3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.5003
10+ ¥ 3.2944
30+ ¥ 2.9402
100+ ¥ 2.2031
5000+ ¥ 2.1208
15000+ ¥ 2.059
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