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K1094-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K1094-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1094-VB

K1094-VB概述

    # K1094-VB 60V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1094-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(60V),由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产。这款 MOSFET 主要用于高压隔离、开关电源、电机驱动等领域,广泛应用于工业控制、汽车电子、通讯设备等多种场合。它的主要功能是作为开关元件,在电路中实现电流的通断控制。

    技术参数


    K1094-VB 的技术参数如下:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流(TC=25°C) | ID | - | - | 45 | A |
    | 脉冲漏极电流(TC=25°C) | IDM | - | - | 220 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 100 | mJ |
    | 最大功率耗散(TC=25°C) | PD | - | - | 52 | W |
    | 峰值二极管恢复 dV/dt | dV/dt | - | 4.5 | - | V/ns |
    | 额定工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    动态特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1500 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | - | pF |
    | 门级电荷 | Qg | - | - | 95 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 27 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 46 | nC |
    静态特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.027 | - | Ω |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | - | 3.0 | V |
    | 门源漏电流 | IDSS | - | - | 25 | μA |

    产品特点和优势


    K1094-VB 的特点和优势包括:
    1. 高隔离电压:该 MOSFET 的隔离电压高达 2.5 kVRMS,确保在高压环境中可靠运行。
    2. 低热阻:其低热阻设计能够有效散热,提高工作效率并延长使用寿命。
    3. 动态 dV/dt 评级:适合于需要快速开关的应用,如电源转换器。
    4. 高可靠性:可在 -55°C 至 175°C 的宽温范围内稳定工作,适应各种恶劣环境。
    5. 铅(Pb)- free 可用:环保设计,满足 RoHS 和无卤素标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K1094-VB 常用于开关电源、电机驱动器、电动汽车充电站、直流/直流转换器等场合。其高隔离电压和低热阻使其非常适合高压开关应用。
    使用建议
    1. 电路布局:确保低杂散电感和良好的接地平面,减少寄生效应。
    2. 驱动电路设计:使用与被测设备相同类型的驱动器,以确保稳定性。
    3. 参数验证:根据具体应用验证典型参数和极限参数。

    兼容性和支持


    K1094-VB 与多种电子设备和系统兼容,且厂商提供全面的技术支持和维护服务。购买时请咨询授权经销商获取更多支持信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 高温工作环境下的可靠性
    2. 峰值电压限制
    3. 电路布局建议
    解决方案
    1. 使用低热阻设计,提高散热效率。
    2. 遵循产品手册中的最大电压限制。
    3. 参考手册中的电路布局建议。

    总结和推荐


    K1094-VB 在高压隔离、开关速度和耐温性方面表现出色,适用于多种高压应用。其环保设计和厂商提供的支持也使得它在市场上具有很强的竞争力。总体来说,我们强烈推荐使用 K1094-VB 作为高压开关和转换应用的理想选择。

K1094-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 45A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1094-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1094-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1094-VB K1094-VB数据手册

K1094-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
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