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HUF76429S3S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: HUF76429S3S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUF76429S3S-VB

HUF76429S3S-VB概述

    HUF76429S3S-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HUF76429S3S-VB 是一款高性能 N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 D2PAK(TO-263)封装形式。这款 MOSFET 的额定电压为 60V,电流承载能力高达 50A,在各种电力转换应用中表现出色。它具备低导通电阻(RDS(on)),适合应用于多种场合,如开关电源、电机驱动、电池管理系统及 LED 照明等领域。

    2. 技术参数


    以下是 HUF76429S3S-VB 的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±10 | - | - | V |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 50 | - | 36 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 200 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.032 | 0.035 | - | Ω (VGS=10V, VGS=4.5V) |
    | 门电荷 | Qg | - | - | 66 | nC |
    | 峰值二极管恢复电压 | dV/dt | - | - | 4.5 | V/ns |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料:HUF76429S3S-VB 符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 2002/95/EC 标准,无卤素设计,对环境友好。
    - 表面贴装技术:提供在带盘和卷上的供应方式,方便自动化生产。
    - 快速开关:具备出色的动态 dv/dt 额定值,能够实现快速开关。
    - 逻辑级栅极驱动:适用于多种逻辑电路,降低功耗和简化设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:由于其快速开关特性,可以显著减少功率损耗,提高效率。
    - 电机驱动:低导通电阻使其适用于高电流驱动场合,确保电机运行稳定。
    - LED 照明:高效的开关特性减少了热量产生,延长灯具寿命。
    使用建议:
    - 在选择 PCB 布局时,应确保具有良好的散热设计,以提高长期稳定性。
    - 使用低阻抗和低泄漏电感布局,减少外部噪声干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与常见的 PCB 材料兼容(如 FR-4 或 G-10),支持 SMD 贴片工艺。
    - 支持:供应商提供详细的技术文档和应用指南,确保客户能够快速上手。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的工作温度导致 MOSFET 故障。
    - 解决方案:确保使用良好的散热设计,避免长时间过载运行。
    - 问题:无法达到预期的开关速度。
    - 解决方案:检查 PCB 布局,减少外部电感和寄生电容的影响。

    7. 总结和推荐


    综上所述,HUF76429S3S-VB N-Channel MOSFET 是一款具备高可靠性、优异性能和广泛适用性的电子元件。它的绿色环保材料、快速开关能力和良好的热管理特性使其在各类应用中表现出色。因此,强烈推荐用于需要高效能和低功耗的应用场合。

HUF76429S3S-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 40A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HUF76429S3S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUF76429S3S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUF76429S3S-VB HUF76429S3S-VB数据手册

HUF76429S3S-VB封装设计

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500+ ¥ 2.419
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