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K1086-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K1086-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1086-VB

K1086-VB概述

    K1086-VB N-Channel 60V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K1086-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高压隔离和高电流需求的应用而设计。其核心特性包括高达 60V 的击穿电压和卓越的动态 dV/dt 评级,适用于各种工业控制、电源管理和电动车辆等领域。此款 MOSFET 采用 TO-220 全包封封装,且符合无铅标准。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 击穿电压(VDS):60 V
    - 导通电阻(RDS(on))(VGS = 10 V):0.027 Ω
    - 栅极电荷(Qg):95 nC
    - 源极-漏极电容(Coss):100 pF
    - 反向传输电容(Crss):12 pF
    - 门限电压(VGS(th)):1.0 ~ 3.0 V
    - 绝对最大额定值
    - 漏-源电压(VDS):60 V
    - 栅-源电压(VGS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):45 A(Tc = 25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):220 A
    - 热阻(RthJA):65 °C/W
    - 最高单脉冲雪崩能量(EAS):100 mJ
    - 最大功率耗散(PD):52 W(Tc = 25°C)
    - 动态特性
    - 上升时间(tr):120 ns
    - 下降时间(tf):86 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):55 ns
    - 开关时间测试电路

    3. 产品特点和优势


    - 高电压隔离:K1086-VB 具有 2.5 kVRMS 高电压隔离,适用于要求严格绝缘的应用场景。
    - 宽温度范围:能够在 -55°C 至 +175°C 的广泛温度范围内正常工作。
    - 低热阻:具有低热阻特性,有效提高散热效率。
    - 高电流能力:可承受高达 220 A 的脉冲电流,适用于高电流需求的工业应用。

    4. 应用案例和使用建议


    K1086-VB 在以下场景中得到了广泛应用:
    - 电机驱动:作为电机控制系统的主控元件。
    - 电源管理:用于电源转换和调节。
    - 电动车辆:适用于电动车中的电机控制系统。
    使用建议:
    - 确保散热片和 PCB 布局的合理设计,以降低寄生电感和漏电流的影响。
    - 使用具备相同特性的驱动器来实现最佳的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    K1086-VB 与大多数标准电路板和驱动器兼容。制造商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,包括在线技术支持和培训资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:高频率开关时温度过高。
    - 解决方案:检查散热设计,确保散热片与 MOSFET 之间的接触良好,并适当增加散热器的尺寸。
    - 问题:栅极噪声过大。
    - 解决方案:在栅极添加滤波电容,以减小噪声干扰。

    7. 总结和推荐


    K1086-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,特别适合于需要高电压隔离和高电流应用的场合。其独特的技术和可靠的性能使其在市场上具有显著的竞争优势。推荐在各类电机驱动和电源管理系统中选用此产品。

K1086-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 45A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1086-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1086-VB数据手册

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K1086-VB封装设计

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