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IRF634BPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,12A,RDS(ON),190mΩ@10V,228mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IRF634BPBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF634BPBF-VB

IRF634BPBF-VB概述

    IRF634BPBF-VB 产品技术手册

    1. 产品简介


    IRF634BPBF-VB是一款N沟道功率MOSFET,适用于多种高压开关应用。其设计具备高速切换、动态dv/dt额定值以及重复雪崩额定值等特性,使得它在电力电子领域有着广泛的应用前景。
    主要功能和应用领域:
    - 动态dv/dt额定值
    - 反复雪崩额定值
    - 快速切换能力
    - 并联容易
    - 简单的驱动需求
    典型应用包括DC-DC转换器、电机控制、电池管理和电源逆变器等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 250 V |
    | 漏极连续电流 | ID 14 A |
    | 漏极脉冲电流 | IDM 56 | A |
    | 雪崩能量 | EAS 550 | mJ |
    | 最大耗散功率 | PD 125 | W |
    | 输入电容 | Ciss 1300 pF |
    | 输出电容 | Coss 330 pF |
    | 转移电容 | Crss 85 pF |
    其他重要参数:
    - 门限电压:2.0 ~ 4.0 V
    - 门极泄漏电流:± 100 nA
    - 开启电阻:0.19 Ω(典型值)

    3. 产品特点和优势


    - 高速切换能力:具有优异的开关性能,适合高频应用。
    - 简单的驱动要求:门极驱动要求低,易于集成到现有系统中。
    - 并联操作简便:便于多个器件并联使用以提高电流处理能力。
    - 宽温度范围:能够在极端温度环境下稳定工作,适用范围广。
    这些特点使得IRF634BPBF-VB成为众多高压开关应用的理想选择,尤其在需要高可靠性、稳定性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC-DC转换器:利用其快速开关性能来提升转换效率。
    - 电机控制:并联使用可显著提高电流承载能力。
    - 电源逆变器:适用于高频率PWM驱动的逆变器系统。
    使用建议:
    - 在选择电源管理系统时,考虑到其重复雪崩特性,应在电路设计时充分考虑过压保护措施。
    - 对于需要高温运行的环境,确保散热管理到位以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数标准电源模块和系统。
    - 支持信息:
    - 厂商提供详细的在线技术支持和文档。
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的关断延迟时间。
    - 解决办法:检查门极驱动电阻是否合适,必要时降低电阻值。
    - 问题2:雪崩电流超出限制。
    - 解决办法:在电路中添加合适的瞬态电压抑制器件,避免雪崩现象发生。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:IRF634BPBF-VB拥有优异的开关性能、简单的驱动需求和广泛的适用范围。
    - 缺点:较高的开启电阻可能会对某些低阻抗应用造成限制。
    推荐:
    对于寻求高性能、可靠且易于驱动的N沟道功率MOSFET的应用,IRF634BPBF-VB是最佳选择。尽管在某些情况下可能需要额外的散热措施,但它在各种高压开关应用中表现出了卓越的能力。

IRF634BPBF-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@10V,228mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 250V
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRF634BPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF634BPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF634BPBF-VB IRF634BPBF-VB数据手册

IRF634BPBF-VB封装设计

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