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2852GO-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,-30V,-3.5A,RDS(ON),38mΩ@10V,45.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:TSSOP8
供应商型号: 2852GO-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2852GO-VB

2852GO-VB概述


    产品简介


    SI6544DQ-T1-GE3是一款N-Channel和P-Channel 30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理、电机控制和各类开关应用中。这款MOSFET具备低导通电阻和高速切换性能,确保在各种高功率应用中的高效能表现。该产品符合RoHS指令和无卤素要求,适用于对环保有严格要求的应用场合。

    技术参数


    N-Channel 参数:
    - BVDSS(漏源击穿电压):30V
    - RDS(ON)(导通电阻):22mΩ(在VGS=10V时)
    - ID(连续漏极电流):6.2A(TA=25°C时)
    - ID(连续漏极电流):5.0A(TA=70°C时)
    - IDM(脉冲漏极电流):20A
    - PD@TA=25℃(总功耗):待查
    - TSTG(存储温度范围):-55°C至150°C
    - TJ(工作结温范围):-55°C至150°C
    - Rthj-a(最大热阻):90°C/W
    - 其他参数参见下表
    P-Channel 参数:
    - BVDSS(漏源击穿电压):-30V
    - RDS(ON)(导通电阻):45mΩ(在VGS=-10V时)
    - ID(连续漏极电流):-5.0A(TA=25°C时)
    - ID(连续漏极电流):-4.0A(TA=70°C时)
    - IDM(脉冲漏极电流):-18A
    - PD@TA=25℃(总功耗):待查
    - TSTG(存储温度范围):-55°C至150°C
    - TJ(工作结温范围):-55°C至150°C
    - Rthj-a(最大热阻):90°C/W
    - 其他参数参见下表

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:对于N-Channel型号,RDS(ON)低至22mΩ,而对于P-Channel型号则为45mΩ,显著减少了功率损耗。
    2. 快速开关性能:快速的开关时间特性(如td(on)和td(off))提高了系统的效率和可靠性。
    3. 高可靠性:通过严格的测试保证了产品的稳定性和可靠性。
    4. 兼容性好:符合RoHS标准及无卤素材料,广泛应用于各类电子产品中。
    5. 安全系数高:具备高温和低温下的工作能力,适合恶劣环境下的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理:用于高功率转换和调节。
    - 电机控制:用于驱动电动机,实现精确控制。
    - 开关应用:在高频开关电路中提供高效能。
    使用建议:
    - 在设计电路时考虑导通电阻的影响,选择合适的散热方式以降低Rthj-a值。
    - 遵循额定工作温度范围,避免过载运行。
    - 注意脉冲宽度受限于最大结温。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品与多种其他电子元器件和设备兼容,具体可参考制造商提供的兼容性表。
    支持:
    - 本产品由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.提供全面的技术支持和服务,包括安装指南、维修和更换服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:产品发热严重
    - 解决方案:确保散热良好,可以使用散热片或风扇辅助散热。
    问题2:开关频率异常
    - 解决方案:检查并调整驱动信号的频率,确认输入电压在合适范围内。
    问题3:输出不稳定
    - 解决方案:检查负载情况,确保接线正确且无虚焊现象。

    总结和推荐


    总结:
    SI6544DQ-T1-GE3是一款高性能、高可靠性的MOSFET,特别适用于高功率转换和精密控制应用中。其低导通电阻和快速开关性能使其在同类产品中具有明显优势。总体而言,这款产品在工业和消费类电子产品中都表现出色。
    推荐:
    强烈推荐使用SI6544DQ-T1-GE3,尤其是针对需要高效率和稳定性的工作环境。尽管价格可能略高于市面上的部分竞品,但其出色的性能和可靠性使其物超所值。

2852GO-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 3.5A
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 N+P沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@10V,45.6mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2852GO-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2852GO-VB数据手册

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2852GO-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.3111
3000+ ¥ 3.1672
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型号 价格(含增值税)
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