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J133-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J133-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J133-VB

J133-VB概述


    产品简介




    本产品是一款由VBsemi公司设计生产的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为J133。该产品采用TO-252封装,适用于多种负载开关应用。P沟道MOSFET是一种高效、低导通电阻的半导体开关器件,能够实现高效的电能转换和控制。


    技术参数




    - 工作电压:最大漏源电压 \( V_{DSS} \) 为60V。
    - 导通电阻 \( R_{DS(on)} \):
    - 在 \( V_{GS} = -10 \) V时为0.061Ω。
    - 在 \( V_{GS} = -4.5 \) V时为0.072Ω。
    - 连续漏极电流 \( I_D \):在 \( T_J = 175 \) °C时,\( I_D \) 最大值为-30A。
    - 总栅极电荷 \( Q_g \):典型值为10nC。
    - 栅极漏电流 \( I_{GSS} \):在 \( V_{DS} = 0 \) V,\( V_{GS} = \pm 20 \) V时,最大值为±100nA。
    - 最大脉冲漏极电流 \( I_{DM} \):在 \( T_A = 25 \) °C时为-30A。
    - 单脉冲雪崩能量 \( E_{AS} \):在 \( L = 0.1 \) mH时为7.2mJ。
    - 最大功耗 \( P_D \):在 \( T_C = 25 \) °C时为34W。
    - 热阻 \( R_{thJA} \):在 \( t \leq 10 \) 秒时为20°C/W。
    - 存储温度范围:-55至175°C。


    产品特点和优势




    - TrenchFET®技术:采用先进的沟槽工艺,显著降低导通电阻,提高开关速度。
    - 全雪崩测试:确保每个器件都能承受极端的应力条件,提升可靠性。
    - 高可靠性和稳定性:能够在极端环境下保持稳定的性能表现。
    - 低导通电阻:出色的导通电阻特性使得该器件具有较低的功耗,提高效率。


    应用案例和使用建议




    应用案例


    - 负载开关:广泛应用于负载管理、电机控制等领域,确保高效和可靠的电能转换。
    - 电源管理:可以用于电源转换器、稳压器等场合,提高系统整体性能。

    使用建议


    - 散热管理:由于该MOSFET的功耗较高,在实际应用中需要特别注意散热措施,以保证器件的稳定运行。
    - 驱动电路设计:设计合理的驱动电路可以进一步提高器件的开关速度和降低损耗。选择合适的栅极电阻可以优化器件的动态特性。
    - 热稳定性:通过合理的布局和散热措施,确保器件的工作温度不超过其安全操作范围。


    兼容性和支持




    该MOSFET与常见的PCB材料和焊接工艺兼容。VBsemi公司提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利进行产品的选型和使用。


    常见问题与解决方案




    1. 问题:工作温度过高导致器件过热。
    - 解决方法:增加散热片或者使用风扇等方式进行主动冷却,确保器件在安全温度范围内工作。
    2. 问题:驱动电路设计不合理导致器件损坏。
    - 解决方法:检查驱动电路设计,确保合适的栅极电阻和驱动电压,避免过高或过低的驱动信号。
    3. 问题:栅极泄露电流过高。
    - 解决方法:确保电路板设计中适当的隔离措施,避免不必要的信号干扰。


    总结和推荐




    总体来看,J133 P沟道MOSFET凭借其出色的导通电阻、高可靠性和广泛的适用性,是一款非常值得推荐的产品。适用于多种负载开关和电源管理应用。但在使用过程中需要注意散热管理和合理的设计驱动电路,以充分发挥其性能。如果您对这款产品有任何疑问或需求,建议联系VBsemi的技术支持团队获得更详细的信息和指导。

J133-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Id-连续漏极电流 38A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J133-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J133-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J133-VB J133-VB数据手册

J133-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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