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FQPF6N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: FQPF6N60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQPF6N60-VB

FQPF6N60-VB概述

    # FQPF6N60 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQPF6N60 是一款由台湾 VBsemi 电子有限公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应以及各种照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡灯。此外,它还在工业领域得到广泛应用。

    技术参数


    静态参数
    - 漏源电压 (VDS): 在最大结温条件下为 650 V。
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 2.5 V 至 5 V。
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS): 最大值为 1 μA。
    - 导通电阻 (RDS(on)): 最大值为 1 Ω(在 VGS = 10 V 条件下)。
    - 反向转移电容 (Crss): 最大值未提供。
    - 输入电容 (Ciss): 最大值未提供。
    - 输出电容 (Coss): 最大值未提供。
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为 13 nC。
    - 栅极-源极电荷 (Qgs): 最大值为 11 nC。
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd): 最大值为 14 nC。
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 650 V。
    - 门源电压 (VGS): ±30 V。
    - 连续漏电流 (ID): 150 °C 时的最大值为 6 A。
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 86 mJ。
    - 最大耗散功率 (PD): 2.7 W。
    热阻抗
    - 结到环境热阻 (RthJA): 最大值为 63 °C/W。
    - 结到外壳(漏)热阻 (RthJC): 最大值为 0.6 °C/W。

    产品特点和优势


    FQPF6N60 功率 MOSFET 具备低栅极电荷 (Qg) 和低输入电容 (Ciss),这显著减少了开关损耗和导通损耗。该器件还具有超低的栅极电荷,这有助于提高效率并降低功耗。其高重复性雪崩能量评级 (UIS) 使其能够在严苛的环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源供应:在这些应用中,高可靠性是关键,而 FQPF6N60 可以承受高电流和高电压波动,保证稳定供电。
    2. 开关模式电源(SMPS):在 SMPS 中,低栅极电荷和低导通电阻特性使得开关频率更高,从而减少电源转换损耗。
    3. 工业:例如工业自动化控制系统中的电机驱动,可以利用其高效和高可靠性的特点。
    使用建议
    - 散热管理:由于最高结温可达 150 °C,需要良好的散热措施,建议采用大尺寸散热片或风扇辅助散热。
    - 电路布局:为了减少寄生电感和漏电流,电路布局需注意降低寄生电感,并增加接地平面设计。
    - 选择合适栅极电阻 (Rg):合适的栅极电阻可以有效控制开关速度,避免过快导致的电压尖峰问题。

    兼容性和支持


    FQPF6N60 支持与多种电源和控制系统的兼容。台湾 VBsemi 为该产品提供了详尽的技术支持和售后服务,包括在线资源库、技术支持热线和定期的产品更新通知。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 开关频率过高导致过热问题?
    A: 减少开关频率,并确保适当的散热措施,例如使用大尺寸散热片或风扇。

    2. Q: 栅极驱动电流不足导致开关损耗增加?
    A: 增加栅极电阻 (Rg) 的阻值,确保栅极驱动电流足够且稳定。
    3. Q: 门极电压设置不当导致误触发?
    A: 检查门极电压设置,确保其满足产品规格要求,并调整至合适范围。

    总结和推荐


    综上所述,FQPF6N60 功率 MOSFET 具有出色的性能指标和多项独特的技术优势,非常适合高可靠性、高性能的应用场合。无论是用于电源管理和工业控制,还是高功率 LED 照明系统,这款器件都能提供卓越的表现。因此,强烈推荐使用该产品。

FQPF6N60-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FQPF6N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQPF6N60-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQPF6N60-VB FQPF6N60-VB数据手册

FQPF6N60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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