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RQK0201QGDQATL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: RQK0201QGDQATL-E-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RQK0201QGDQATL-E-VB

RQK0201QGDQATL-E-VB概述

    N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    这款N-Channel 20 V (D-S) MOSFET是一款高性能的沟槽型功率MOSFET,适用于多种应用场景。该产品符合IEC 61249-2-21标准,无卤素,同时满足RoHS 2002/95/EC指令的要求。其主要功能包括在直流转换器和便携式应用中的负载开关中发挥重要作用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 20 | - | - | V |
    | 源漏导通电流(连续) | ID | 6 | - | - | A |
    | 漏源体二极管连续电 流 | IS | 1.75 | - | - | A |
    | 最大功率耗散(环境温度25℃) | PD | 2.1 | - | - | W |
    | 额定工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)):在不同栅源电压下的RDS(on)值非常低,保证了极高的能效。
    - 高可靠性:100% RG测试,确保生产过程中的高质量控制。
    - 环保材料:无卤素材料设计,符合国际环保标准。
    - 适用性强:可用于广泛的电源管理和负载开关应用中。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该产品适用于DC/DC转换器和便携式设备中的负载开关。例如,在手机充电器或便携式电池组中作为关键部件。
    - 使用建议:建议在使用时确保电路设计中的栅极电阻(Rg)不超过手册中的规定值,以避免过高的栅极电压损害器件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与常见的SOT-23封装相兼容,可以方便地替换其他品牌的类似产品。
    - 厂商支持:VBsemi提供详细的技术支持文档和24小时客户服务热线(400-655-8788),帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定最佳的栅极驱动电压?
    - 解决方案:根据手册中的图表和参数表,选择合适的栅极驱动电压,一般建议在4.5V左右。
    - 问题:长时间工作是否会损坏器件?
    - 解决方案:通过监控器件的工作温度和电流,确保其工作在安全范围内,可以使用散热片来辅助散热。

    总结和推荐


    这款N-Channel 20 V (D-S) MOSFET凭借其卓越的性能和广泛应用前景,是一款非常值得推荐的产品。它在便携式设备和电力管理系统中表现出色,且具有环保和高可靠性的特点。对于需要高性能、高效能功率管理的应用场合,建议选用这款MOSFET。

RQK0201QGDQATL-E-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 6A
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 8V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RQK0201QGDQATL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RQK0201QGDQATL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RQK0201QGDQATL-E-VB RQK0201QGDQATL-E-VB数据手册

RQK0201QGDQATL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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交货地:
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