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IRLR3715TRRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: IRLR3715TRRPBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLR3715TRRPBF-VB

IRLR3715TRRPBF-VB概述

    电子元器件技术手册:IRLR3715TRRPBF

    1. 产品简介


    IRLR3715TRRPBF是一款N沟道功率MOSFET,主要适用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效率、高速度的应用领域。该器件采用TO-252封装形式,能够承受高达175℃的工作温度,展现出优异的热稳定性和可靠性。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压(VDS) | 20 | - | - | V |
    | 栅极-源极电压(VGS) | -15 | - | 15 | V |
    | 连续漏极电流(TC=25℃) | 100 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | - | - | 200 | A |
    | 热阻(稳态)最大结到环境 | 40 | - | 50 | °C/W |
    | 静态门体泄漏电流(IGSS) | - | - | -100 | nA |
    | 正向转导率(gfs) | 20 | - | - | S |
    | 输出电容(Coss) | - | 730 | - | pF |
    | 总栅极电荷(Qg) | - | 26 | 35 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:采用先进的TrenchFET技术,提供低导通电阻和高电流处理能力。
    - 高耐温性:最高可达175℃的工作温度,适合高温环境下的应用。
    - 100% Rg测试:确保每个器件的质量,提高可靠性。
    - 低导通电阻(rDS(on)):在典型条件下(例如VGS = 4.5V),rDS(on)仅为0.0045Ω,实现高效能转换。

    4. 应用案例和使用建议


    IRLR3715TRRPBF广泛应用于各种电力转换系统,如服务器电源、太阳能逆变器等。例如,在一个典型的DC-DC转换器中,这款MOSFET可以有效地将电源转换为所需的输出电压,同时保持高效的能量转换。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要确保散热措施得当,以防止器件过热损坏。
    - 选择合适的栅极驱动器,以确保快速的开关速度和稳定的性能。
    - 注意散热设计,如添加散热片或使用散热良好的PCB布局。

    5. 兼容性和支持


    IRLR3715TRRPBF具有良好的兼容性,可与其他标准TO-252封装的组件配合使用。制造商提供了详细的技术支持文档和技术咨询热线,以便用户在使用过程中获得及时的帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 改善散热设计,增加散热片 |
    | 开关损耗大 | 选择合适的栅极驱动器,减少开关时间 |
    | 寿命短 | 确保正确的操作温度范围,避免超载运行 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRLR3715TRRPBF是一款高性能、可靠且适用广泛的N沟道功率MOSFET。其低导通电阻、高耐温性和优异的热稳定性使其成为电力转换应用的理想选择。对于需要高效能和长期稳定性的场合,我们强烈推荐使用此产品。

IRLR3715TRRPBF-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
Vgs-栅源极电压 15V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 145A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLR3715TRRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLR3715TRRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLR3715TRRPBF-VB IRLR3715TRRPBF-VB数据手册

IRLR3715TRRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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