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UT70P02-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),9mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.71Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: UT70P02-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT70P02-TN3-R-VB

UT70P02-TN3-R-VB概述

    # UT70P02-TN3-R P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品概述
    UT70P02-TN3-R 是一款采用 TO-252 封装的 P 沟道 MOSFET。这款 MOSFET 适用于多种应用场合,包括电源管理、驱动电路以及高可靠性系统的设计。它具有出色的电气特性和广泛的温度范围,确保在恶劣环境下也能稳定运行。
    主要功能
    - 高可靠性,符合 RoHS 标准。
    - 支持高达 30V 的漏源电压(VDS)。
    - 超低导通电阻,使得在高电流应用中功耗更低。
    - 具备反向恢复功能,确保安全可靠的操作。
    应用领域
    - 电源转换和稳压。
    - 驱动电机和其他高功率负载。
    - 高频开关应用。
    - 消费电子产品和工业控制设备。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): -70A (TJ=175°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -240A
    - 反复雪崩能量 (EAR): 180mJ
    - 功率耗散 (PD): 根据安装方式不同而变化
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 175°C
    热阻抗
    - 结到环境热阻 (RthJA): 60°C/W
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 20°C/W
    静态参数
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.009Ω @ VGS=-10V, ID=-30A
    - 门阈电压 (VGS(th)): 1V - 3V
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±100nA @ VDS=0V, VGS=±20V
    - 栅源电荷 (Qgs): 32nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 30nC
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss): 4000pF @ VGS=0V, VDS=-25V
    - 输出电容 (Coss): 1565pF
    - 逆转移电容 (Crss): 715pF
    - 总栅电荷 (Qg): 160nC - 240nC
    源漏二极管参数
    - 持续电流 (IS): -70A
    - 脉冲电流 (ISM): -240A
    - 正向电压 (VSD): -1.2V - -1.5V @ IF=-75A
    - 反向恢复时间 (trr): 55ns - 100ns @ IF=-75A

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:提供低至 0.009Ω 的导通电阻,减少了在大电流条件下的功率损耗。
    - 高可靠性:符合 RoHS 和无卤素标准,保证长期稳定性。
    - 宽工作温度范围:可在极端温度环境下可靠工作,适用性广泛。
    - 高重复雪崩能量:提供强大的保护机制,防止设备损坏。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在电源管理模块中作为开关使用,提高效率。
    - 在电机驱动系统中用作电源控制器件,增强稳定性。
    - 在高频逆变器中用作切换元件,提升响应速度。
    使用建议
    - 根据具体应用需求选择合适的电流等级。
    - 在高频率应用中考虑使用并联多个 MOSFET 来降低热应力。
    - 确保良好的散热设计以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 与主流 PCB 设计软件兼容,易于集成。
    - 厂商提供详尽的技术支持文档和客户服务,方便用户进行开发和调试。
    - 符合工业标准,确保与现有系统的良好兼容性。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流不足 | 检查电路连接和电压设置 |
    | 发热严重 | 改善散热设计,使用散热片 |
    | 无法正常导通 | 确认栅极信号正确无误 |

    总结和推荐


    综合评估
    UT70P02-TN3-R MOSFET 在可靠性、效率和性能方面表现出色。其低导通电阻、宽工作温度范围以及高重复雪崩能量使其成为许多高要求应用的理想选择。
    推荐
    我们强烈推荐这款产品用于需要高效率、高可靠性的应用中。其卓越的性能和广泛的适用性将为您的项目带来显著的优势。

UT70P02-TN3-R-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,12mΩ@4.5V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 60A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.71V
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT70P02-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT70P02-TN3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT70P02-TN3-R-VB UT70P02-TN3-R-VB数据手册

UT70P02-TN3-R-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
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