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IRFIB6N60APBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: IRFIB6N60APBF-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFIB6N60APBF-VB

IRFIB6N60APBF-VB概述


    产品简介


    IRFIB6N60APBF 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,属于Power MOSFET系列。该产品具备低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(Qg),使得其在各类开关电源应用中表现出色。主要用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明(包括高强度放电灯HID和荧光灯管)以及工业应用等领域。

    技术参数


    - 额定电压:VDS 最大值为 650 V
    - 最大漏极电流:ID 在 TJ = 150 °C 时最大值为 3.5 A
    - 静态特性:
    - 管体二极管的反向恢复时间 trr 最大值为 190 ns
    - 管体二极管的反向恢复电荷 Qrr 最大值为 2.3 μC
    - 动态特性:
    - 输入电容 Ciss 最大值未具体规定
    - 输出电容 Coss 最大值未具体规定
    - 门极电荷 Qg 最大值为 30 nC
    - 热阻率:
    - 最大结到环境热阻 RthJA 为 63 °C/W
    - 最大结到壳体(漏极)热阻 RthJC 为 0.6 °C/W

    产品特点和优势


    IRFIB6N60APBF 的主要特点包括低导通电阻、低门极电荷和低输入电容,这些特性使其在高效率转换和快速开关应用中表现优异。它的超低门极电荷和重复脉冲雪崩能量等级使其成为要求高性能、高效能和稳定性的应用的理想选择。此外,该器件具有较低的切换和导通损耗,使其在各种开关电源设计中具有显著的优势。

    应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:在这些应用中,IRFIB6N60APBF 的高可靠性和稳定性是关键因素。建议在高温环境下使用,确保适当的散热措施以延长其使用寿命。
    - 照明系统:对于 HID 和荧光灯管的驱动,IRFIB6N60APBF 可以有效减少能源消耗并提高系统的整体能效。
    - 工业应用:在高电流和高温环境中,确保器件的冷却,特别是在连续工作模式下。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他标准N沟道MOSFET引脚兼容,适合大多数开关电源设计。
    - 支持:制造商提供详细的文档和技术支持,包括样品、设计工具和测试电路。用户可以通过官方热线 400-655-8788 联系获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何防止IRFIB6N60APBF过热?
    - 解决方案:使用足够的散热片和风扇进行强制风冷,或者采用水冷方式。确保电路板的设计中有良好的热管理措施,如大尺寸铜箔层和热垫片。
    - 问题:IRFIB6N60APBF出现异常高温怎么办?
    - 解决方案:检查负载是否过大,以及门极驱动是否正确设置。如有必要,调整负载电流限制和散热措施。

    总结和推荐


    IRFIB6N60APBF 是一款高效能的N沟道功率MOSFET,适用于多种高要求的应用场合。其低导通电阻、低门极电荷和高可靠性使其成为许多开关电源设计的理想选择。通过适当的散热管理和正确的使用建议,可以充分发挥其性能优势。因此,强烈推荐在需要高效能和稳定性的应用场景中使用该产品。

IRFIB6N60APBF-VB参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFIB6N60APBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFIB6N60APBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFIB6N60APBF-VB IRFIB6N60APBF-VB数据手册

IRFIB6N60APBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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