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8N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: 8N60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 8N60-VB

8N60-VB概述

    # 8N60-VB MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本信息
    8N60-VB 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾VBsemi公司生产。此款产品适用于多种高电压电源转换应用。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 低输入电容(Ciss)
    - 高能效及低损耗
    - 可承受重复脉冲电压
    应用领域
    - 服务器和通信电源
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正(PFC)电源
    - 照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)
    - 工业应用

    技术参数


    基本电气特性
    - 最大漏源电压(VDS): 650 V
    - 漏源击穿电压: 650 V
    - 导通电阻(RDS(on)): ≤ 4.0 Ω (VGS = 10 V, ID = 4 A)
    - 输入电容(Ciss): -
    - 输出电容(Coss): -
    - 反向传输电容(Crss): -
    - 总栅极电荷(Qg): ≤ 10 nC (VGS = 10 V, ID = 4 A, VDS = 520 V)
    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS): 650 V
    - 栅源电压(VGS): ± 30 V
    - 持续漏电流(ID): 35 A (TJ = 150 °C, TC = 25 °C)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 97 mJ
    - 最大功率耗散(PD): 178/156/53 W
    - 操作结温范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 推荐焊接温度: 300 °C (峰值温度)
    热阻抗
    - 结到环境的最大热阻(RthJA): ≤ 63 °C/W
    - 结到外壳的最大热阻(RthJC): ≤ 0.6 °C/W

    产品特点和优势


    8N60-VB MOSFET 具有出色的开关性能和低损耗特性,适合用于需要高效率的应用。具体优势如下:
    - 低功耗: RDS(on) 值低至 4.0 Ω,有效降低导通时的能耗。
    - 快速响应: 超低的栅极电荷(Qg),减少了开关过程中的能量损失。
    - 高可靠性: 高重复脉冲雪崩能量等级(EAS),能够应对极端工作条件。
    - 紧凑设计: TO-220 FULLPAK 封装,便于散热,适合各种紧凑安装场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器电源: 在服务器电源设计中,8N60-VB MOSFET 可以显著提高效率并减少发热。
    2. 照明系统: 在高强度放电灯和荧光灯的驱动电路中,其高能效和快速响应特性有助于提高灯具的性能。
    使用建议
    - 合理选型: 选择合适的驱动电路,确保栅极电荷 Qg 在安全范围内。
    - 散热管理: 由于其高功率耗散特性,务必采用良好的散热措施,例如使用散热片或散热器。
    - 过压保护: 在电路设计中增加适当的过压保护装置,防止器件受到电压尖峰损坏。

    兼容性和支持


    8N60-VB MOSFET 与市场上主流的电源转换设备具有良好的兼容性,且厂商提供完善的售后服务和技术支持。具体技术文档和应用指南可以在制造商官网下载,如需进一步技术支持可联系客服。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 发热过高
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,增加散热面积,如使用散热片或散热器。

    2. 导通电阻异常高
    - 解决方案: 检查工作环境是否在规定范围内,尤其是温度;检查连接线是否有松动。
    3. 栅极驱动信号不稳定
    - 解决方案: 检查驱动电路的布线,确保无干扰,使用低电感线材,并考虑加装滤波器。

    总结和推荐


    8N60-VB MOSFET 是一款高效、可靠的高压MOSFET,非常适合应用于高电压和高功率密度的电源转换设备中。其低损耗和高可靠性使其在各类工业和商业应用中表现出色。强烈推荐给需要高效率电源解决方案的用户。
    如有任何技术疑问或需求,欢迎随时联系VBsemi公司的技术服务团队,他们将为您提供专业支持。

8N60-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

8N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

8N60-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 8N60-VB 8N60-VB数据手册

8N60-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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