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ISL9N310AS3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: ISL9N310AS3-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) ISL9N310AS3-VB

ISL9N310AS3-VB概述

    ISL9N310AS3-VB N-Channel 30 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ISL9N310AS3-VB 是一款来自 VBsemi 的 N 沟道 30 V MOSFET。它属于 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列,具有低热阻封装的特点。该产品广泛应用于电源管理和电机驱动等领域。

    2. 技术参数


    以下是 ISL9N310AS3-VB 的主要技术规格:
    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):1.0 至 2.5 V
    - 零栅源电压漏电流 (IDSS):≤ 1 μA @ VDS = 30 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V,ID = 20 A:0.007 Ω(典型)
    - VGS = 4.5 V,ID = 15 A:0.010 Ω(典型)
    - 连续漏电流 (ID):70 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):250 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):33 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):54 mJ
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 最大功率耗散 (PD):23 W @ TC = 125 °C

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽场效应晶体管技术,降低导通电阻并提高耐压能力。
    - 低热阻封装:确保在高功率应用中的稳定运行。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:保证产品质量和可靠性。
    - 高耐压和大电流:适合多种高压和大电流应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:ISL9N310AS3-VB 常用于电源转换器、逆变器和电机驱动器中。在设计这些应用时,应考虑其高耐压和大电流的特点。
    - 使用建议:为了优化性能,建议在应用中选择适当的散热方案,并确保符合绝对最大额定值的要求。同时,在使用过程中应避免长时间超过绝对最大额定值的工作条件。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ISL9N310AS3-VB 可以与其他标准 TO-220AB 封装的器件兼容。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术支持和客户服务,包括技术支持热线(400-655-8788),方便用户获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据应用需求选择合适的栅极电阻,通常在 1 到 10 Ω 之间。

    - 问题 2:如何避免过热问题?
    - 解决方案:确保使用足够的散热措施,例如增加散热片或风扇,以保持工作温度在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    ISL9N310AS3-VB 在 N 沟道 30 V MOSFET 中表现出色,具备高可靠性和稳定性。其独特的 TrenchFET® 技术使其在众多应用中具有明显的优势。因此,对于需要高性能和可靠性的应用场景,我们强烈推荐使用 ISL9N310AS3-VB。

ISL9N310AS3-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

ISL9N310AS3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

ISL9N310AS3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 ISL9N310AS3-VB ISL9N310AS3-VB数据手册

ISL9N310AS3-VB封装设计

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