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K3561-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K3561-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3561-VB

K3561-VB概述

    # K3561-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    K3561-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它具有低电阻、低损耗的特点,适用于多种高功率应用。这款MOSFET的主要功能包括低导通电阻和极低的栅极电荷,使其成为现代电力转换系统中的理想选择。
    应用领域
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源供应器(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应器(PFC)
    - 照明设备(如高强度放电灯、荧光灯镇流器)
    - 工业控制设备

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 650 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±30 V
    - 连续漏电流 \(ID\) (TJ = 150 °C): 45 A
    - 脉冲漏电流 \(I{DM}\)
    - 最大功率耗散 \(PD\): 18 W
    - 最高结温 \(T{J}\): -55 to +150 °C
    - 驱动门电阻 \(RG\): 3.5 Ω
    额定规格
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\): 4.0 Ω (VGS = 10 V, ID = 4 A)
    - 栅源电荷 \(Q{gs}\): 24 nC
    - 栅漏电荷 \(Q{gd}\): 10 nC
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 16 nC
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): 2 - 4 V
    特性
    - 低导通电阻和栅极电荷
    - 极低的开关和传导损耗
    - 高可靠性

    产品特点和优势


    K3561-VB 的独特之处在于其低栅极电荷和导通电阻,这使得它在高频率下能够实现更低的损耗。其超低的栅极电荷使得驱动电路更为简单高效,降低了系统的整体功耗。此外,它还具有高可靠性和卓越的热稳定性,能够在极端条件下保持稳定性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    K3561-VB 主要应用于服务器电源和工业控制设备中。例如,在服务器电源中,它用于将交流电转换为直流电,以满足服务器内部各组件的供电需求。而在工业控制设备中,它可以用于电机控制和电池管理。
    使用建议
    - 为了确保最佳性能,建议使用低电感设计的PCB布局,减少杂散电感的影响。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热措施,确保器件处于安全的工作温度范围内。

    兼容性和支持


    K3561-VB 可以与其他标准MOSFET驱动器和控制器轻松配合使用。厂商提供了详细的技术支持文档,包括安装指南和故障排除手册。客户可以随时通过服务热线400-655-8788联系厂商获取帮助。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问题: 器件在高功率运行时发热严重。
    - 解决方案: 采用更好的散热方案,如增加散热片或使用风扇强制冷却。
    2. 问题: 器件启动时出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,确保驱动器的输出信号正常。
    3. 问题: 设备在高湿度环境中表现不佳。
    - 解决方案: 使用防潮措施,如在电路板上涂抹防潮漆,确保环境湿度适宜。

    总结和推荐


    K3561-VB 是一款高性能、高可靠性的N-沟道功率MOSFET,适合于各种高功率应用。其独特的低栅极电荷和导通电阻使其在高频应用中表现出色,是现代电力转换系统中的理想选择。因此,强烈推荐K3561-VB用于需要高效能、低损耗的高功率电子设备中。

K3561-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3561-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3561-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3561-VB K3561-VB数据手册

K3561-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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