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K4A53D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K4A53D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4A53D-VB

K4A53D-VB概述

    # K4A53D N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    基本介绍
    K4A53D 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它被广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、高亮度照明、荧光灯球泡照明和工业设备等多个领域。

    2. 技术参数


    静态参数
    - 最大漏源电压(VDS):650 V
    - 最大导通电阻(RDS(on)):0.65 Ω (在25°C时)
    - 栅极输入电容(Ciss):约2.5 nF
    - 总栅极电荷(Qg):约24 nC
    - 热阻:最大结壳热阻(RthJC)为0.6 °C/W
    动态参数
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):97 mJ
    - 最大脉冲漏电流(IDM):由热阻线性降额
    - 开关延迟时间(td(on)):≤100 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):≤100 ns

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通损耗:RDS(on)值低,降低功耗。
    - 高速开关:Qg值低,提高开关速度,减少能量损耗。
    - 高可靠性:雪崩能量高达97 mJ,适用于需要高瞬态耐压的应用场合。

    市场竞争力
    K4A53D 在同类产品中具有明显优势,尤其适合高效率和高频应用场合。其快速开关能力和低导通电阻使其成为服务器电源、电信设备和高功率照明系统中的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应:适用于高效率、高可靠性需求的环境。
    - 高亮度 HID 照明系统:能处理高电压和高电流的应用。
    - 工业控制设备:适合各种工业自动化应用场景。
    使用建议
    - 在设计电路时,考虑到其开关特性和热管理。保持良好的散热措施是确保长期稳定运行的关键。
    - 使用低杂散电感和良好接地的布局,以减少电磁干扰和信号失真。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    K4A53D 可与标准 TO-220 封装的组件直接替换,适用于多种应用环境。此外,其与现有设备的兼容性使得它易于集成到现有的设计中。
    厂商支持
    - 台湾VBsemi 提供全面的技术支持,包括详尽的技术文档和应用指南。
    - 产品保质期内享受无忧售后服务,确保客户在使用过程中无后顾之忧。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 产品过热
    - 解决方法:增加散热片,改善空气流通,或者采用主动冷却方案。

    2. 开关时间长
    - 解决方法:优化驱动电路,减小栅极电阻。
    3. 电压不稳定
    - 解决方法:检查电路连接,确保接地点可靠。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    K4A53D 功率 MOSFET 具备出色的性能和高可靠性,特别适合高要求的电力转换应用。其快速开关能力、低导通电阻和高可靠性使其成为市场上极具竞争力的产品之一。
    推荐使用
    综上所述,我们强烈推荐 K4A53D 用于服务器电源、电信设备、高功率照明系统以及其他需要高效和高频操作的工业控制设备。其卓越的性能和稳定性将显著提升系统的整体效能和可靠性。

K4A53D-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4A53D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4A53D-VB数据手册

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K4A53D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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15N10 ¥ 0.336