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NP80N03KDE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263 可用作电机驱动器的功率开关管,用于控制工业机器人、输送带等设备的启停和转速,提高生产线的自动化程度和生产效率。
供应商型号: NP80N03KDE-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP80N03KDE-VB

NP80N03KDE-VB概述

    NP80N03KDE N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    NP80N03KDE 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 TrenchFET® 系列的产品。这款 MOSFET 主要用于电源管理、服务器和直流/直流转换等应用。它采用了先进的沟槽技术,能够提供低导通电阻和高可靠性。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 30V
    - 额定工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 175°C
    - 电流参数
    - 最大连续漏极电流 (ID): 98A (TC=25°C),90A (TJ=175°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 300A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 64.8V
    - 阻抗和电阻
    - 导通状态电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS=10V 时,RDS(on) = 0.0038Ω
    - 在 VGS=4.5V 时,RDS(on) = 0.0044Ω
    - 电容参数
    - 输入电容 (Ciss): 120pF
    - 输出电容 (Coss): 1725pF
    - 反向转移电容 (Crss): 970pF
    - 热参数
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.5°C/W (T2PAK)
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 32°C/W (T2PAK)

    产品特点和优势


    - 高效率: 低导通电阻 (RDS(on)) 提供更高的能效,降低损耗。
    - 高可靠性: 通过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保产品质量。
    - 环保认证: 符合 RoHS 指令 2011/65/EU,绿色环保。
    - 广泛适用性: 适用于多种电力系统,包括服务器、直流/直流转换等。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing 应用: 在多电源冗余系统中,用于电路的切换和保护。
    - 服务器: 用于服务器电源模块中的电压调节和管理。
    - 直流/直流转换: 用于电信和工业设备中的高效直流转换。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是在高功率应用中,需要适当的散热措施来避免过热。
    - 在设计 PCB 时,应确保足够的接地面积以提高散热效率。

    兼容性和支持


    NP80N03KDE 采用标准的 D2PAK 封装,可与其他同封装的电子元器件互换。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 高温环境下 MOSFET 过热。
    - 解决方案: 使用更大的散热片或改进散热设计。
    - 问题2: 开关过程中出现噪音。
    - 解决方案: 使用低电感连接,减少噪声产生。
    - 问题3: MOSFET 在高电流下失效。
    - 解决方案: 检查并确保散热系统的有效性,并确认连接电阻和电容值。

    总结和推荐


    NP80N03KDE N 沟道 MOSFET 是一款高效、可靠且环保的产品,适用于多种电力系统。其出色的性能和广泛应用使其在市场上具有较高的竞争力。强烈推荐使用此产品以提升系统的效率和可靠性。
    联系方式:
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官方网站:www.VBsemi.com

NP80N03KDE-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 170A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP80N03KDE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP80N03KDE-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP80N03KDE-VB NP80N03KDE-VB数据手册

NP80N03KDE-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.5919
800+ ¥ 2.4839
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型号 价格(含增值税)
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