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UTL1426-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: UTL1426-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTL1426-S08-R-VB

UTL1426-S08-R-VB概述


    产品简介


    本产品是一款N沟道30V(D-S)功率MOSFET(场效应晶体管),采用先进的TrenchFET®技术制造。该产品特别优化用于高边同步整流操作,适用于笔记本电脑CPU核心中的高边开关等应用。

    技术参数


    | 参数名称 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏源电压 | V 30
    | 漏极连续电流 | A 13
    | 脉冲漏极电流 | A 45
    | 零栅极电压漏电流 | μA 1
    | 开启状态漏电流 | A 20
    | 漏源导通电阻 | Ω | 0.008 0.011 |
    | 栅极电荷 | nC 6.8 | 10.2 |
    | 电源功耗 | W 4.1
    | 工作温度范围 | ℃ | -55 150 |

    产品特点和优势


    - 环保无卤素:符合RoHS标准,满足环保要求。
    - 高效能TrenchFET®技术:优化高边同步整流操作,提升整体效率。
    - 可靠性测试:所有产品经过100%栅极电阻和雪崩电流测试,确保高可靠性。
    - 宽泛的工作温度范围:-55℃至150℃,适应多种恶劣环境条件。

    应用案例和使用建议


    该产品主要用于笔记本电脑CPU核心中的高边开关,能够有效提升系统效率和稳定性。对于实际应用,建议关注散热设计,特别是在高负载情况下避免过热现象。

    兼容性和支持


    本产品采用SO-8封装,适用于多种表面贴装工艺。厂商提供详尽的技术文档和支持,包括在线技术支持和定期的产品更新信息。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何正确安装此MOSFET?
    A: 确保正确识别引脚位置,并按规范焊接,避免反接。
    2. Q: 运行时出现过热怎么办?
    A: 优化散热设计,增加散热片或风扇来降低工作温度。
    3. Q: MOSFET工作电压超出规定范围会怎样?
    A: 工作电压超过额定范围可能导致击穿,建议严格遵守技术手册的规定使用。

    总结和推荐


    综上所述,这款N沟道30V功率MOSFET在笔记本电脑CPU核心中的应用表现出色,具备高性能、高可靠性和广泛的工作温度范围。它不仅适合笔记本电脑的核心电源管理,也可应用于其他需要高边开关的应用场景。因此,我们强烈推荐此产品给需要高效率、高可靠性的工程师和技术人员。

UTL1426-S08-R-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTL1426-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTL1426-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTL1426-S08-R-VB UTL1426-S08-R-VB数据手册

UTL1426-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
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交货地:
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型号 价格(含增值税)
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