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K2823-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: K2823-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2823-VB

K2823-VB概述

    文章标题:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 技术详解

    一、产品简介


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款适用于逻辑电平接口、驱动电路及电池供电系统的高性能功率场效应管。此款产品以其低导通电阻、快速开关速度和优越的抗静电能力(ESD保护)而著称,能够广泛应用于逻辑电路接口(如TTL/CMOS)、驱动器(例如继电器、灯泡、显示屏等),并为现代电子系统提供高效能支持。此外,该产品通过了RoHS认证,符合无卤化标准,可确保环保要求。

    二、技术参数


    以下是该产品的关键技术和规格:
    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | VGS = 0 V, ID = 10 µA | 60 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 (VGS(th)) | VDS = VGS, ID = 250 µA | 1 | 2.5 | - | V |
    | 零栅电压漏电流 (IDSS) | VDS = 60 V, VGS = 0 V | 1 | - | 500 | µA |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | VGS = 10 V, ID = 200 mA | - | 2.8 | - | Ω |
    | 输入电容 (Ciss) | VDS = 25 V, VGS = 0 V, f=1 MHz | - | 25 | - | pF |
    | 开关时间 (td(on)) | VDD = 30 V, RL = 150 Ω | - | 20 | - | ns |
    | 关断时间 (td(off)) | - | - | 30 | - | ns |
    其他关键性能指标:
    - 漏极连续电流:250 mA (TA = 25°C)
    - 最大耗散功率:0.30 W (TA = 25°C)
    - 最大工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 封装类型:SOT-23

    三、产品特点和优势


    - 低门槛开启电压:仅需2V即可有效导通,适合低电压操作。
    - 高可靠性:具备卓越的ESD保护(1200V)和抗干扰性能。
    - 快速响应:开关速度极快(25ns),适合高频工作环境。
    - 低功耗设计:导通电阻低至2.8Ω(典型值),显著减少发热损耗。
    - 易于驱动:无需缓冲电路即可轻松驱动,适用范围广。
    这些优势使其成为电池供电系统和高速电路的理想选择。

    四、应用案例和使用建议


    1. 直接逻辑电平接口:可用于TTL/CMOS逻辑电平的直接连接,简化电路设计。
    2. 电机驱动:适合作为继电器、灯泡或固态继电器的驱动元件。
    3. 便携式设备:如电池供电的手持设备,低功耗特性和小型封装非常适合这类应用。
    4. 推荐建议:在高温环境下使用时,注意散热设计;建议通过合理布局降低杂散电感,进一步提高开关性能。

    五、兼容性和支持


    - 兼容性:支持多种主控芯片的逻辑输出接口。
    - 技术支持:台湾VBsemi公司提供完善的售后服务和技术支持,包括样品申请、定制化服务等。
    - 维护信息:所有产品均符合RoHS和无卤化标准,便于环保回收。

    六、常见问题与解决方案


    1. 问题:开启时延迟过长?
    解决办法:检查输入电容Ciss是否过大,适当减小外围电阻或增加驱动电压。
    2. 问题:频繁烧毁?
    解决办法:确认漏极电流和栅极驱动条件是否在规格范围内;加装外部滤波电路以减少浪涌。
    3. 问题:温度过高导致失效?
    解决办法:增加外部散热片或改善PCB散热设计。

    七、总结和推荐


    总体来看,这款N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 在性能、可靠性和成本上均表现出色,尤其适合于低电压、高频率的应用场合。其快速响应、低功耗和易于驱动的特点使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我们强烈推荐此产品用于逻辑电平接口、电池供电系统和高速开关电路的设计中。
    如果您正在寻找一款性能卓越且绿色环保的MOSFET,不妨尝试这款产品!
    服务热线:400-655-8788
    官网链接:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    注:文中所列数据仅供参考,具体应用时请务必参考产品规格书并咨询供应商。

K2823-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 300mA
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2823-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2823-VB数据手册

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K2823-VB封装设计

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