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NCE65R260-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: NCE65R260-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE65R260-VB

NCE65R260-VB概述


    产品简介


    NCE65R260是一款N沟道超级结MOSFET,采用TO-220AB封装。该产品具有高可靠性,适用于多种电力电子应用。其主要功能包括快速开关能力和低导通电阻,使其特别适合用于电信、照明、消费电子、工业及可再生能源系统等领域。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±30 V
    - 最大连续漏极电流 (TJ = 150 °C):13 A
    - 脉冲漏极电流:60 A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS):367 mJ
    - 最大功率耗散:208 W
    - 栅源电荷 (Qg):106 nC
    - 栅极电容 (Ciss):2322 pF
    - 输出电容 (Coss):105 pF
    - 反向传输电容 (Crss):-4 pF
    - 典型结到散热片热阻 (RthJC):0.5 °C/W

    产品特点和优势


    NCE65R260拥有诸多独特的性能特点,使其在市场中脱颖而出:
    - 低反向恢复时间和低恢复电荷:显著减少了恢复过程中的损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg):有助于降低开关损耗。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在大电流应用中表现出色,提高了效率。
    - 高雪崩能量等级 (EAS):增强了可靠性,特别是在高压环境下。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C 的工作温度范围,使其适应多种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信:应用于服务器和电信电源供应中,确保高效稳定的电源管理。
    - 照明:用于高强度放电(HID)灯和荧光灯镇流器中,提高能源利用率。
    - 工业:焊接和电池充电设备中,保证快速响应和高可靠性。
    - 可再生能源:应用于太阳能光伏逆变器中,提升系统的整体效能。
    - 开关模式电源 (SMPS):广泛应用于各种需要高效能开关的电力设备中。
    使用建议
    - 在选择散热方案时,建议根据产品的热阻特性选择适当的散热器,以确保长期稳定运行。
    - 注意控制栅极驱动信号的上升时间,以减少开关过程中的能量损失。
    - 对于高电流应用,应严格控制散热条件,以避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    NCE65R260可以与大多数标准接口兼容,且供应商提供了详尽的技术支持文档和热线服务,以便客户解决应用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 确保良好散热,选用合适的散热片和冷却系统。 |
    | 导通电阻增大 | 检查电路设计,确保工作环境符合技术规范要求。 |
    | 开关时间不稳定 | 调整栅极驱动信号,确保信号波形的稳定性和强度。|

    总结和推荐


    NCE65R260凭借其优异的性能指标和广泛的应用领域,成为了一款非常值得推荐的高性能MOSFET。无论是从技术参数还是从实际应用表现来看,它都能满足大部分电力电子应用的需求。如果你正在寻找一款高可靠性和高效率的MOSFET,NCE65R260绝对是一个不错的选择。

NCE65R260-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCE65R260-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE65R260-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE65R260-VB NCE65R260-VB数据手册

NCE65R260-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
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型号 价格(含增值税)
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