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IRFR230BTM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应晶体管,具有200V的额定漏极-源极电压和10A的漏极电流。其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。200V,10A,RDS(ON),245mΩ@10V,368mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.06Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: IRFR230BTM-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR230BTM-VB

IRFR230BTM-VB概述


    产品简介


    产品类型:本产品为N沟道200V(漏极-源极)MOSFET,型号为IRFR230BTM。
    主要功能:该器件采用TrenchFET®技术,具备高耐温能力和脉冲宽度调制优化特性,适用于电源转换、电机控制等多种电子应用。
    应用领域:广泛应用于电力系统、工业控制、照明等领域,特别是在初级侧开关应用中表现优异。

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 200 | V |
    | 栅源电压 | VGS | -20 | - | +20 | V |
    | 连续漏电流(TJ = 175°C) | ID | - | - | 7 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | - | 12 | A |
    | 源电流(二极管导通) | IS | - | - | 6 | A |
    | 雪崩电流 | IAS | - | - | 6 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 18 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 96 | W |
    | 结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    | 热阻 | RthJA | - | 15 | 18 | °C/W |
    | 结壳热阻 | RthJC | - | 0.85 | 1.1 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 高温耐受能力:该产品能够在高达175°C的结温下工作,适用于高温环境。
    - 优化PWM性能:适合于脉冲宽度调制(PWM)应用,具有快速开关速度。
    - 可靠测试:100% Rg测试保证产品的可靠性。
    - 环保材料:符合欧盟RoHS指令要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    该产品常用于电源电路的初级侧开关,如在高频逆变器中作为开关元件。例如,在工业电源设计中,通过将IRFR230BTM与PWM控制器配合使用,可以提高电源效率并减少损耗。
    使用建议:
    1. 在选择电路板布局时,确保适当的散热措施以保持在工作温度范围内。
    2. 使用适当尺寸的栅极电阻(Rg)以优化开关时间和降低电磁干扰。
    3. 当应用在高频场合时,需要考虑输入、输出电容的选型以优化性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRFR230BTM适用于多种电源拓扑结构,可与其他符合相关标准的电路板兼容。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和客户服务支持,包括在线技术支持和定期的产品更新。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:无法达到预期的工作温度范围。
    - 解决方案:检查安装是否正确,确认散热片尺寸和热界面材料是否合适。
    2. 问题:在高频率下出现振荡现象。
    - 解决方案:增加栅极电阻(Rg)以减缓开关速度,并调整输入电容值以优化电路稳定性。

    总结和推荐


    总体而言,IRFR230BTM是一款高性能的N沟道MOSFET,具有高耐温能力、优化PWM性能和可靠的电气特性。它的主要优点包括高温操作能力、高效的开关特性和良好的电气性能。对于需要在恶劣环境下工作的电力转换和控制应用来说,这款产品是理想的选择。基于其出色的特性和广泛应用,强烈推荐在设计中使用IRFR230BTM。
    以上是对N沟道200V MOSFET(型号IRFR230BTM)的技术手册内容进行解析后撰写的详细介绍。希望这些信息能帮助工程师和技术人员更好地了解和使用这一高性能产品。

IRFR230BTM-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.06V
Id-连续漏极电流 10A
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 245mΩ@10V,368mΩ@4.5V
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR230BTM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR230BTM-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR230BTM-VB IRFR230BTM-VB数据手册

IRFR230BTM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
2500+ ¥ 2.1526
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型号 价格(含增值税)
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