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IRF3705NS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: IRF3705NS-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF3705NS-VB

IRF3705NS-VB概述

    IRF3705NS-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRF3705NS-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TrenchFET®功率MOSFET技术,特别适用于高电流和高频应用。其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))和低热阻封装设计。这些特性使得IRF3705NS-VB在开关电源、电机驱动和通信设备等领域具有广泛应用。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):125°C下为65A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):350A(脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):65A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):211mJ
    - 最大功率耗散 (PD):25°C时为220W;125°C时为70W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C至+175°C
    - 热阻参数
    - 结到环境热阻 (RthJA):40°C/W(板式安装)
    - 结到外壳(漏极)热阻 (RthJC):0.65°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高性能TrenchFET®功率MOSFET:低导通电阻 (RDS(on)) 和高电流处理能力使其成为理想的开关器件。
    - 低热阻封装设计:确保即使在高温环境下也能稳定工作。
    - 可靠性测试:100% Rg和UIS测试确保产品质量。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:IRF3705NS-VB 可以用于DC-DC转换器中的同步整流,显著提高效率。
    - 电机驱动:在工业自动化设备中,该MOSFET可以用于驱动电机,提供高频率和高效率的控制。
    - 通信设备:可用于各种通信模块,如信号放大和滤波。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热措施,确保结温不超过额定值。
    - 在大电流应用中,考虑使用更大的散热片或外部冷却系统。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的D2PAK封装兼容,适合大多数常见的电路板布局。
    - 支持:提供详细的使用说明和技术支持,包括热阻测试数据和电气特性参数。可联系服务热线400-655-8788获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温下MOSFET过热。
    - 解决方案:增加散热片或使用风扇强制风冷,确保良好的热管理。
    - 问题:出现雪崩现象导致损坏。
    - 解决方案:检查驱动电路设计,确保有足够的栅极电阻和合适的驱动电压。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    IRF3705NS-VB 是一款高性能、高可靠性的N沟道60V MOSFET,适用于多种高要求的应用场景。其低导通电阻和高效的热管理设计使其在开关电源和电机驱动等场合表现出色。
    推荐使用:
    对于需要高效能和高可靠性的电子设备,IRF3705NS-VB是理想的选择。其优秀的性能和广泛的应用范围使其成为工程师和设计师的首选产品之一。

IRF3705NS-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 150A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF3705NS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF3705NS-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF3705NS-VB IRF3705NS-VB数据手册

IRF3705NS-VB封装设计

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