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9912H-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: 9912H-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9912H-VB

9912H-VB概述

    N-Channel 20V (D-S)175°C MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司生产的N-Channel 20V(D-S)175°C 功率MOSFET(型号为9912H)。这是一种高性能的TrenchFET Power MOSFET,专为各种电力转换应用而设计。该器件的主要功能是在高电压和高温环境下提供高效的开关性能,适用于电源管理、电机驱动、逆变器和其他功率控制电路。

    2. 技术参数


    以下是9912H MOSFET的关键技术参数:
    - 最大源漏电压 \( V{DS} \): 20V
    - 导通电阻 \( r{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 4.5V \), \( I{D} = 20A \): 0.0055Ω
    - \( V{GS} = 2.5V \), \( I{D} = 20A \): 0.006Ω
    - 连续漏电流 \( I{D} \):
    - \( T{C} = 25℃ \): 100A
    - \( T{C} = 100℃ \): 80A
    - 最大耗散功率:
    - \( T{C} = 25℃ \): 71W
    - \( T{A} = 25℃ \): 8.3W(表面贴装在1英寸×1英寸FR4板上)
    - 工作温度范围: -55°C 到 175°C
    - 热阻抗:
    - 最大结至环境热阻 \( R{thJA} \): 40°C/W(稳态)
    - 最大结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 1.75°C/W

    3. 产品特点和优势


    9912H MOSFET的主要特点是其高性能和高可靠性。其关键优势如下:
    - 高耐压能力: 最大源漏电压为20V,适合高压应用。
    - 低导通电阻: 导通电阻极低,尤其是在较低栅极电压下,确保了高效能。
    - 宽工作温度范围: 能够在-55°C到175°C的极端环境下稳定工作,适用于恶劣环境。
    - 高可靠性: 所有器件均经过100% Rg测试,确保出厂时无缺陷。
    - 良好的热管理: 低热阻抗保证了有效的散热性能。

    4. 应用案例和使用建议


    9912H MOSFET广泛应用于电源管理和电机驱动等领域。例如,在开关电源中作为主开关管,或者在电机驱动电路中作为高边或低边开关。
    使用建议:
    - 在选择驱动器时,需考虑MOSFET的输入电容和总栅极电荷,以确保足够的开关速度。
    - 确保良好的散热设计,特别是在高功率应用中,以避免因过热而导致损坏。
    - 注意MOSFET的寄生电感和寄生电容,合理布局电路以减小干扰。

    5. 兼容性和支持


    9912H MOSFET采用标准TO-252封装,易于集成到现有系统中。厂商提供了详尽的技术支持文档,包括电路图、布局指南和常见问题解答,帮助客户顺利使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的用户问题及其解决方法:
    - 问题: 开关速度慢
    - 解决方案: 检查驱动器配置,确保有足够的驱动电流。
    - 问题: 温度过高
    - 解决方案: 优化散热设计,增加散热片或使用外部风扇冷却。
    - 问题: 频繁失效
    - 解决方案: 检查电路布局,避免走线带来的寄生电感和寄生电容,确保良好的电源去耦合。

    7. 总结和推荐


    9912H MOSFET凭借其高性能和高可靠性,非常适合于要求苛刻的应用环境。其低导通电阻和宽工作温度范围使其成为许多电力控制应用的理想选择。我们强烈推荐使用此产品,并相信它能够满足您的需求。
    如果您对产品有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

9912H-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 145A
Vgs-栅源极电压 15V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9912H-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9912H-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9912H-VB 9912H-VB数据手册

9912H-VB封装设计

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