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2SK4016-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi品牌推出的一款TO220F封装的单N型半导体器件。它具有650V的耐压(VDS),最大电流达到20A(ID),在VGS=10V时具有160m?的导通电阻。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性
供应商型号: 2SK4016-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK4016-VB

2SK4016-VB概述


    产品简介


    2SK4016 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率 MOSFET 系列。它具有低阈值电压和高开关速度的特点,适用于各种电源管理、电机控制和工业自动化等领域。这款 MOSFET 采用 TO-220 FULLPAK 封装,能够承受高达 650V 的漏源电压,提供极佳的电气特性和可靠性。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.17Ω (VGS=10V, TC=25°C)
    - 最大总栅极电荷 (Qg): 110nC (VGS=10V, ID=11A, VDS=520V)
    - 最大输入电容 (Ciss): 2414pF (VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz)
    - 最大输出电容 (Coss): 118pF
    - 最大反向传输电容 (Crss): 4pF
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 691mJ
    - 连续漏电流 (ID): 20A (TC=25°C), 13A (TC=100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 56A
    - 最大耗散功率 (PD): 30W
    - 最大结温与存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低阈值电压: VGS(th) 在 3V 到 5V 之间,使得 MOSFET 可以在较低的门极电压下工作。
    2. 低漏源导通电阻: RDS(on) 在标准条件下仅为 0.17Ω,有助于减少功耗和提高效率。
    3. 低输入电容: Ciss 为 2414pF,在高频应用中可降低功耗并提高响应速度。
    4. 高雪崩耐受能力: 单脉冲雪崩能量 EAS 高达 691mJ,增强了在恶劣工作环境下的可靠性。
    5. 快速开关特性: 低栅极电荷和高开关频率,使得 2SK4016 在高频应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电源转换器: 用于直流-直流转换器,由于其高效的转换特性,可以在多种功率应用中发挥重要作用。
    - 电机驱动: 在电机控制系统中作为高效开关,可以显著提升系统的整体性能。
    - 照明控制: 适用于LED照明控制电路,利用其低导通电阻和快速开关特性实现高效能的调光控制。
    使用建议:
    - 热管理: 由于其高耗散功率,需要良好的散热设计,避免长时间高负载导致过热。
    - 外部栅极电阻选择: 建议使用合适的栅极电阻(例如 9.1Ω)来优化开关时间和功耗。
    - 应用特定配置: 在实际应用中,根据具体需求调整 VGS 和 VDS 设置,确保最佳性能和稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 2SK4016 与标准的 TO-220 封装完全兼容,便于更换和升级现有系统。
    - 厂商支持: 台湾VBsemi 提供详尽的技术文档和专业的技术支持,确保用户能够充分利用该产品的优势。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 问题: 设备在运行时出现过热现象。
    - 解决方案: 确保散热片安装正确,适当增加散热措施,如使用更大尺寸的散热器或风扇。
    2. 开关时间长
    - 问题: 开关时间过长,影响工作效率。
    - 解决方案: 调整栅极电阻至合适值(例如 9.1Ω),从而优化开关特性。
    3. 导通电阻过高
    - 问题: 导通电阻高于预期值。
    - 解决方案: 确保门极电压达到 VGS(th) 规定的最小值,如 10V,以保证导通电阻在规定范围内。

    总结和推荐


    总体而言,2SK4016 是一款性能卓越、可靠性高的 N 沟道 MOSFET。其低导通电阻、低输入电容和高雪崩耐受能力使其非常适合于各种电源管理和电机控制应用。通过适当的热管理和外部电路配置,该产品可以充分发挥其优势。因此,强烈推荐此产品给寻求高性能和可靠性的工程师和设计师。
    欲了解更多信息或获取技术支持,请访问 [台湾VBsemi官网](http://www.VBsemi.com),或联系我们的服务热线:400-655-8788。

2SK4016-VB参数

参数
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~4V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK4016-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK4016-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK4016-VB 2SK4016-VB数据手册

2SK4016-VB封装设计

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