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K1096-MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K1096-MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1096-MR-VB

K1096-MR-VB概述

    K1096-MR-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K1096-MR-VB 是一款单通道 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有卓越的隔离性能和高可靠性。这款 MOSFET 的主要功能包括低导通电阻(RDS(on))和高动态 dv/dt 额定值,适用于广泛的工业应用,如电机控制、电源转换和通信设备等。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 漏源电压 (VDS):60 V
    - 电流参数:
    - 持续漏极电流 (ID):45 A(TC=25 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):220 A
    - 温度参数:
    - 工作结温范围 (TJ, Tstg):-55 至 +175 °C
    - 其他参数:
    - 热阻抗 (RthJA):最大 65 °C/W
    - 动态 dv/dt 额定值:4.5 V/ns
    - 零栅源漏电流 (IDSS):最大 25 µA
    - 输入电容 (Ciss):1500 pF
    - 输出电容 (Coss):未提供
    - 反向传输电容 (Crss):未提供

    3. 产品特点和优势


    - 高隔离度:K1096-MR-VB 具有 2.5 kVRMS 的高压隔离,确保其在严苛环境下依然可靠。
    - 低热阻抗:RthJA 为 65 °C/W,保证了良好的散热性能,适合高功率应用。
    - 宽温度范围:-55 至 +175 °C 的工作温度范围使得其适用于极端环境下的应用。
    - 快速开关特性:优秀的 dv/dt 额定值使其在高频率应用中表现出色。
    - 环保材料:产品符合 RoHS 和无卤素标准,绿色环保。

    4. 应用案例和使用建议


    K1096-MR-VB 在多种工业应用场景中表现出色,如电机驱动、电源转换器和电池管理系统。为了充分发挥其性能,建议采取以下措施:
    - 布局优化:在电路板设计时,降低杂散电感和泄漏电感,以提高系统的整体效率。
    - 散热设计:由于其高热阻抗特性,合理设计散热系统,避免过热。
    - 驱动电路优化:选择合适的驱动电路和栅极电阻,以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    K1096-MR-VB 与多数主流控制器和驱动电路兼容,可广泛应用于各种系统。VBsemi 提供全面的技术支持,包括在线资源、培训和技术文档,帮助客户快速上手并解决实际问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:启动时电流过大
    - 解决方案:调整栅极电阻 (RG) 和负载电感 (L),以优化启动条件。
    - 问题:过热问题
    - 解决方案:加强散热措施,例如增加散热片或风扇。
    - 问题:开关速度不足
    - 解决方案:优化驱动电路,选择适当的驱动器,减小栅极电容。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K1096-MR-VB N 沟道 60V MOSFET 具有出色的隔离性能、低热阻抗和宽工作温度范围,适用于多种工业应用。它在高频应用中的优异表现使其成为许多领域的理想选择。强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的项目中使用此产品。

K1096-MR-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 45A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K1096-MR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1096-MR-VB数据手册

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K1096-MR-VB封装设计

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