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IPP60R520CP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: IPP60R520CP-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP60R520CP-VB

IPP60R520CP-VB概述

    # IPP60R520CP-VB MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    IPP60R520CP-VB 是一种适用于服务器、通信电源、开关模式电源(SMPS)以及功率因数校正电源(PFC)等应用的N沟道MOSFET。此外,它还广泛应用于高强度放电(HID)和荧光灯照明系统。IPP60R520CP-VB MOSFET 配备了高性能特性,使其在高效率转换器和电源管理系统中表现出色。

    技术参数


    IPP60R520CP-VB 的关键技术规格如下:
    - 漏源电压 (VDS): 最大值为650V
    - 栅源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C): 最大值为186A
    - 脉冲漏极电流: 最大值受最高结温限制
    - 单脉冲雪崩能量: 最大值为21mJ
    - 最大耗散功率: 最大值为5W
    - 工作温度范围: 结温和存储温度范围为-55°C到+150°C
    - 热阻: 最大结壳热阻 (RthJC) 为0.6°C/W
    - 输入电容 (Ciss): 最大值为1470pF
    - 输出电容 (Coss): 最大值未提供
    - 栅电荷 (Qg): 最大值为18nC
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在VGS = 10V 时为2.7Ω

    产品特点和优势


    IPP60R520CP-VB 拥有以下独特功能和优势:
    - 低损耗特性: 具有低的漏导通电阻 (Ron) 和栅电荷 (Qg),显著降低切换和传导损耗。
    - 低输入电容: 输入电容低,有助于减少驱动损耗。
    - 高可靠性: 可承受高达650V的峰值电压,适用于严苛的应用环境。
    - 优越的热管理: 具有良好的热性能,能够在高负载下保持稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源: 用于提升电源供应的效率和稳定性。
    - 工业应用: 适合多种工业控制和自动化设备。
    - 照明系统: 特别适用于 HID 灯具和荧光灯驱动。
    使用建议
    - 驱动电路设计: 使用合适的栅极驱动电阻来优化开关速度和降低损耗。
    - 散热管理: 在高功率密度应用中考虑使用高效的散热装置。
    - 电磁干扰抑制: 使用低电感布局以减小杂散电感的影响。

    兼容性和支持


    IPP60R520CP-VB MOSFET 可与其他标准 N 沟道 MOSFET 设备兼容。VBsemi 提供技术支持和维护服务,确保用户能够充分利用产品的所有功能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关速度较慢
    - 解决方案: 减小栅极电阻或增加驱动电流。
    2. 问题: 过热问题
    - 解决方案: 改善散热设计,例如使用散热片或改进 PCB 设计。
    3. 问题: 雪崩现象
    - 解决方案: 使用具有更高雪崩能量等级的设备或改善散热措施。

    总结和推荐


    IPP60R520CP-VB MOSFET 具有优异的性能和可靠性,在高效率电源转换器和驱动器设计中表现出色。其低损耗特性和高可靠性使其成为许多应用的理想选择。我们强烈推荐使用这款 MOSFET 来满足各种高要求的应用需求。对于需要高效、可靠电力转换的系统,IPP60R520CP-VB 是一个不错的选择。

IPP60R520CP-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 9A
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP60R520CP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP60R520CP-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP60R520CP-VB IPP60R520CP-VB数据手册

IPP60R520CP-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 6.299
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