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NCE8098-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: NCE8098-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE8098-VB

NCE8098-VB概述

    NCE8098 N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NCE8098 是一款采用沟槽式TrenchFET®工艺的高性能N沟道80V MOSFET。它广泛应用于主侧开关、同步整流、直流/交流逆变器和LED背光等领域。此产品具有高效能、低损耗的特点,在各种电力转换和驱动电路中表现优异。

    2. 技术参数


    以下是NCE8098的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 80 | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | - | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(TJ = 150 °C) | ID | 28.6 | - | 85 | A |
    | 脉冲漏极电流(t = 100 μs) | IDM | - | - | 350 | A |
    | 反向恢复时间 | trr | 38 | - | 75 | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | 36 | - | 70 | nC |
    | 漏极-源极通态电阻(VGS = 10 V) | RDS(on)| - | 7 | - | mΩ |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®工艺:显著降低导通电阻,提高效率。
    - 100% Rg和UIS测试:确保产品质量和可靠性。
    - 宽广的工作温度范围:-55°C至150°C,适用于恶劣环境。
    - 高功率密度:在紧凑封装内提供高效的功率处理能力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 主侧开关:适用于各种电源转换器,如直流-直流转换器和功率因数校正电路。
    - 同步整流:用于高频逆变器中,减少导通损耗。
    - LED背光:适合用于背光电源管理,确保高效节能。
    使用建议:为确保最佳性能,建议将该MOSFET安装在具有良好散热条件的电路板上,并保持环境温度不超过150°C。避免在超过绝对最大额定值的条件下使用。

    5. 兼容性和支持


    NCE8098 MOSFET 采用标准TO-220AB封装,易于与其他标准组件集成。供应商提供了详尽的技术支持文档和客服热线(400-655-8788),帮助客户解决问题和获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间运行后过热。
    - 解决方案:增加散热片或风扇来改善散热效果。

    - 问题2:开关频率过高导致效率下降。
    - 解决方案:适当降低开关频率,并使用更大的栅极电阻来减缓上升和下降时间。

    - 问题3:反向恢复时间较长影响性能。
    - 解决方案:使用外部电容器来减少反向恢复时间的影响。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NCE8098是一款性能优越、可靠稳定的N沟道80V MOSFET。它在多种应用场景中表现出色,特别是在需要高效率、高功率密度的场合。强烈推荐在电力电子设计中使用该产品。对于任何技术细节上的疑问,可联系供应商获得进一步的支持和服务。

NCE8098-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 100A
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE8098-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE8098-VB数据手册

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NCE8098-VB封装设计

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