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2SK2842-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: 2SK2842-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2842-VB

2SK2842-VB概述

    产品概述

    产品简介


    本产品是一款N沟道550V(D-S)功率MOSFET,型号为2SK2842-VB。它具备高效率和优化设计的特点,适用于多种电子设备和系统,包括消费电子、服务器及电信电源、工业应用(如焊接、感应加热和电机驱动)、电池充电器以及SMPS(开关模式电源供应器)中的功率因数校正(PFC)等。

    技术参数


    以下列出了该产品的关键技术参数和规格:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | - | 550 | - | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 2 | 4 | - | V |
    | 栅漏电荷(Qgd) | - | 25 | - | nC |
    | 栅源电荷(Qgs) | - | 12 | - | nC |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | - | 0.26 | - | Ω |
    | 有效输出电容,能量相关(Co(er)) | - | 131 | - | pF |
    | 最大脉冲栅极电流(ISM) | - | - | 80 | A |
    | 反向恢复时间(trr) | - | 437 | - | ns |

    产品特点和优势


    - 低区域特定导通电阻:这种特性有助于降低总体功耗,提高系统的整体效率。
    - 低输入电容(Ciss):减少了电容切换损失,提高了开关速度。
    - 快速开关:具有低开关损耗和高效能的优势。
    - 鲁棒性强的体二极管:能够承受更高的反向电压冲击。
    - 优化的设计和成本效益:简单的设计和较低的成本使其更具市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于消费电子产品(如液晶电视和平板电视)、服务器和电信电源供应器(如SMPS)、工业应用(如焊接、感应加热和电机驱动)、电池充电器以及SMPS中的功率因数校正(PFC)。对于使用该产品的电路设计,建议保持较低的杂散电感和良好的接地平面,以确保最佳的性能和可靠性。

    兼容性和支持


    该产品采用TO-220 FULLPAK封装,适合大多数标准电源转换电路。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 如何减少栅极振铃?
    - 使用适当的栅极电阻(Rg)和去耦电容,可以有效地减少栅极振铃现象。
    2. 如何避免栅极过度应力?
    - 确保栅极电压在安全范围内操作,并使用合适的驱动电路来保护栅极免受过压损坏。
    3. 如何处理过热问题?
    - 优化散热设计,确保良好的热传导路径,并适当控制负载条件以防止器件过热。

    总结和推荐


    综上所述,2SK2842-VB N沟道550V MOSFET具备高效、低成本、高性能的特点,在多个应用领域表现出色。我们强烈推荐此产品用于需要高效、稳定电源管理的场合。

2SK2842-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 550V
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK2842-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2842-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2842-VB 2SK2842-VB数据手册

2SK2842-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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型号 价格(含增值税)
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