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75N07GP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: 75N07GP-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 75N07GP-VB

75N07GP-VB概述

    # 75N07GP-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    75N07GP-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率MOSFET。其主要功能包括高效的开关能力和出色的热稳定性,使其适用于多种电子应用领域。这款产品的主要特点包括高效率和卓越的可靠性,使其广泛应用于各种电源转换和控制设备中。
    主要功能
    - 高效率:能够提供低导通电阻和快速开关速度。
    - 宽温度范围:能在广泛的温度范围内稳定运行,适用于各种恶劣环境。
    应用领域
    - 主边开关:适合用于电源管理电路中的主边开关。
    - 同步整流:可用于高效能的同步整流电路中。
    - 直流/交流逆变器:适用于各类直流到交流的转换器中。
    - LED背光:适用于LED背光的驱动电路中。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):80V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(TJ = 150°C):28.6A(Ta = 25°C),24.9A(Ta = 70°C)
    - 脉冲漏极电流(t = 100μs):350A
    - 连续源漏二极管电流:4.5A(Ta = 25°C)
    - 单脉冲雪崩电流:30A
    - 单脉冲雪崩能量:45mJ
    - 最大功率耗散(Ta = 25°C):180W
    规格参数(TJ = 25°C)
    - 静态
    - 漏源击穿电压(VDS):80V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0V ~ 3.5V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):1μA
    - 导通漏极电流(ID(on)):85A(VDS ≥ 5V,VGS = 10V)
    - 导通漏源电阻(RDS(on)):7mΩ(VGS = 10V),9mΩ(VGS = 4.5V)
    - 动态
    - 输入电容(Ciss):3855pF
    - 输出电容(Coss):1120pF
    - 反向转移电容(Crss):376pF
    - 总栅电荷(Qg):35.5nC(VDS = 40V,VGS = 10V)

    产品特点和优势


    75N07GP-VB 的主要特点是采用了TrenchFET®工艺技术,这使得其在高频率下的损耗大大降低。其绝对最大额定值和规格参数均经过严格测试,确保了其在极端条件下的可靠性和耐用性。此外,该产品具有较高的电流处理能力和较低的导通电阻,使其在电源转换和电机控制等应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    75N07GP-VB 在各种电源转换和控制电路中有着广泛的应用,例如直流到交流逆变器、LED背光驱动等。以下是使用该产品的几点建议:
    - 选择合适的散热方式:由于其高功率耗散,合理的选择散热器和散热方法是必要的。
    - 确保合适的驱动信号:为了获得最佳性能,需要确保驱动信号的幅度和频率符合要求。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品具有良好的兼容性,可以与各种标准的电路板和设备兼容。
    - 支持和服务:制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,以帮助客户解决在使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定产品的最大工作温度?
    - 解答:根据产品规格,其工作温度范围为-55°C到150°C。具体的工作温度可根据实际应用需求进行选择。
    - 问题:如何避免过热损坏?
    - 解答:合理的设计散热系统,确保产品在工作时不超过其额定的最大温度限制。

    总结和推荐


    75N07GP-VB 是一款性能优越的N沟道MOSFET,特别适用于各种电源管理和控制应用。其高效率、稳定的性能和广泛的适用性使其在市场上具有很高的竞争力。我们强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用中使用此产品。

75N07GP-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 100A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

75N07GP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

75N07GP-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 75N07GP-VB 75N07GP-VB数据手册

75N07GP-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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