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FQB5N20L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),260mΩ@10V,370mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: FQB5N20L-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQB5N20L-VB

FQB5N20L-VB概述

    FQB5N20L 功率 MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQB5N20L 是一款专为高可靠性应用设计的功率 MOSFET。 它属于表面贴装型器件,符合 RoHS 指令和无卤素标准,适用于多种电力电子应用。FQB5N20L 是一个 N 沟道 MOSFET,主要用于开关电源、电机驱动和其他需要快速开关能力的应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 |
    | : | : |
    | 漏源电压 VDS | 200 V |
    | 门源阈值电压 VGS(th) | 2.0 - 4.0 V |
    | 门源漏电流 IGSS | ≤ ±100 nA |
    | 零门源漏电流 IDSS | ≤ 250 μA |
    | 导通电阻 RDS(on) | 0.30 Ω(VGS = 10 V)|
    | 总栅极电荷 Qg | 43 nC(VGS = 10 V)|
    | 最大连续漏电流 ID | 10 A(VGS = 10 V, TC = 25 °C),6.7 A(TC = 100 °C)|
    | 脉冲漏电流 IDM | 36 A |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 250 mJ |
    | 重复雪崩电流 IAR | 9.0 A |
    | 重复雪崩能量 EAR | 7.4 mJ |
    | 尖峰二极管恢复电压 dV/dt | 5.0 V/ns |
    | 工作温度范围 TJ, Tstg | -55 to +150 °C |

    3. 产品特点和优势


    FQB5N20L 的关键特点是其快速开关性能和易并联性,使其非常适合高频应用。 此外,该器件具有简单的驱动要求,减少了系统复杂度和成本。它的低导通电阻 RDS(on) 在多种工作条件下均能保持优异性能,确保高效能源转换。 再加上重复雪崩能力和快速的二极管恢复特性,使其成为在严苛环境下稳定工作的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    FQB5N20L 的典型应用场景包括开关电源、逆变器、电机驱动等领域。 这些应用对开关频率和效率有着严格的要求,而 FQB5N20L 凭借其出色的动态特性和热稳定性,在这些领域表现出色。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计中包含适当的散热措施,以避免过热损坏。
    - 使用合适的驱动电路,确保快速稳定的开关性能。
    - 在高频率应用中,考虑栅极电阻的选择,以优化开关时间和能量消耗。

    5. 兼容性和支持


    FQB5N20L 可与其他标准电子元器件轻松集成,如常用的 PCB 板载封装方式。 厂商提供全面的技术支持,包括详细的使用指南和技术文档,帮助客户在应用中充分利用该器件的优势。 用户可通过官方服务热线或技术支持网站获得进一步的帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | : | : |
    | 开关损耗过高 | 降低栅极电阻,确保更快的开关速度;检查散热设计,确保器件在安全工作范围内运行。 |
    | 导通电阻异常升高 | 检查 VGS 是否达到合适的阈值电压;确认焊接质量,避免虚焊或短路情况。 |
    | 温度过高 | 优化 PCB 布局,增加散热片或风扇;减少负载电流,降低工作负荷。 |
    | 开关波形失真 | 确认驱动电路设计正确,避免栅极振铃现象;使用合适的滤波器和缓冲电路。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,FQB5N20L 在设计和制造方面展示了卓越的性能,是开关电源、逆变器和其他需要高效率、快速响应的电力电子应用的理想选择。 尽管成本可能稍高,但其在性能和可靠性方面的优势使其成为值得投资的选项。 我们强烈推荐这款器件用于任何对性能要求较高的应用中。
    如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请随时联系我们,我们将在第一时间为您提供帮助。

FQB5N20L-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@10V,370mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FQB5N20L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQB5N20L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQB5N20L-VB FQB5N20L-VB数据手册

FQB5N20L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.7215
100+ ¥ 2.5199
500+ ¥ 2.419
800+ ¥ 2.3183
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