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WFD5N50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: WFD5N50-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFD5N50-VB

WFD5N50-VB概述

    WFD5N50 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    WFD5N50是一款高性能的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于Power MOSFET(功率型场效应晶体管)系列。其主要功能是作为开关器件,在高电压和大电流的应用中提供可靠的开关控制。WFD5N50广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 门极-源极电压 | VGS | ±30 | - | ±30 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 5 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | 16 | - | A |
    | 零门极电压漏极电流 | IDSS | - | - | 10 | μA |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | - | 0.95 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 320 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 75 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | - | - |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | 50 | - | ns |
    | 导通延迟时间 | td(on) | - | 18 | - | ns |
    | 上升时间 | tr | - | 40 | - | ns |
    | 下降时间 | tf | - | 30 | - | ns |
    | 最大耗散功率 | PD | - | 205/35/30 | - | W |

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷Qg: 这使得驱动要求简单。
    2. 改进的门极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性: 提高了设备在高压条件下的稳定性。
    3. 全面的电容和雪崩电压及电流特征: 确保在极端条件下的可靠运行。
    4. 符合RoHS指令: 坚持环保标准,对环境友好。

    应用案例和使用建议


    1. 电源管理系统: 在电源转换器中作为开关使用,提高能效。
    2. 电机驱动: 在电机控制器中实现高效且精确的速度和位置控制。
    3. 照明系统: 用于LED驱动电路,实现稳定和高效的照明。
    使用建议:
    - 在高电流环境下使用时,确保散热装置有效以避免热过载。
    - 避免瞬态电压和电流的冲击,合理选择外部电路参数以匹配MOSFET特性。

    兼容性和支持


    WFD5N50可与大多数电源管理和驱动电路兼容。制造商提供了详细的技术支持文档和在线服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,厂商还提供了完善的售后和技术支持体系。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下温度保护失效 | 检查散热片安装是否正确并确保良好的热接触 |
    | 开关频率过高导致功耗增加 | 降低开关频率,优化电路设计以减少损耗 |
    | 漏极-源极间击穿电压不足 | 确认门极驱动电压是否合适 |

    总结和推荐


    WFD5N50是一款性能卓越、可靠性高的N-Channel MOSFET。它不仅具有良好的耐压能力和电流处理能力,而且具备优秀的电气特性和鲁棒性。我们强烈推荐这款产品用于需要高可靠性和高效能的应用场合。同时,厂商提供的完善的支持和服务也大大增强了其市场竞争力。

WFD5N50-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

WFD5N50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFD5N50-VB数据手册

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WFD5N50-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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