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FCD5N60TF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: FCD5N60TF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCD5N60TF-VB

FCD5N60TF-VB概述

    FCD5N60TF N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    FCD5N60TF 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源转换系统。这款器件具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),适用于多种高效率的应用,如服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应以及照明系统(包括高强度放电灯和荧光灯镇流器)和工业领域。

    技术参数


    - 漏源电压(VDS):最大 650 V
    - 导通电阻(RDS(on)):最大 0.7 Ω(在 VGS = 10 V,TJ = 25 °C 下)
    - 总栅极电荷(Qg):最大 16 nC
    - 栅源电荷(Qgs):典型值 14.7 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):典型值 25 nC
    - 连续漏极电流(ID):最大 40 A(在 TC = 25 °C 下)
    - 脉冲漏极电流(IDM):最大 150 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):最大 800 mJ
    - 最大功耗(PD):最大 150 W
    - 热阻(RthJA):最大 63 °C/W(结到环境)
    - 存储温度范围(Tstg):-55 °C 到 +150 °C

    产品特点和优势


    FCD5N60TF 的关键优势包括:
    - 低导通电阻和栅极电荷:这使得它在开关过程中表现出较低的损耗,特别适合需要高效率的应用。
    - 增强的开关性能:低输入电容(Ciss)和低栅极电荷降低了开关过程中的能量损耗。
    - 高可靠性:高雪崩能量和高耐压使其在严苛环境下也能可靠运行。
    - 紧凑设计:提供多种封装形式,适应不同安装需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器和电信电源:这种 MOSFET 适用于需要高效率和紧凑设计的电源供应模块。
    - 照明系统:特别适用于高强度放电灯和荧光灯镇流器,因为其高耐压特性能够确保稳定运行。
    - 工业设备:用于各类工业控制和驱动电路中,以实现高效和可靠的电力传输。
    使用建议:
    - 在选择 MOSFET 的时候,要根据具体应用场景选择合适的 VDS 和 ID 值。
    - 确保 PCB 布局时注意降低寄生电感,减少噪音和热应力的影响。
    - 选择合适的散热器,以避免由于过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    FCD5N60TF 可以与大多数标准电源管理 IC 和驱动电路兼容,方便集成。制造商提供了详细的技术支持和文档资源,包括详细的电气特性、封装信息及热管理建议。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过温导致性能下降 | 使用适当的散热措施,确保良好的空气流动。 |
    | 寄生电感过高 | 优化 PCB 布局,减少引线长度,增加接地平面。 |
    | 开关噪声过大 | 增加滤波电容,优化栅极电阻值。 |

    总结和推荐


    FCD5N60TF N 沟道功率 MOSFET 是一款高效、可靠的器件,尤其适用于要求高效率和可靠性的应用场合。其低导通电阻、低栅极电荷和高耐压特性使其在多种应用中表现优异。综上所述,我们强烈推荐该产品,特别是对于追求高效能和紧凑设计的应用。
    本手册中的信息和数据可能会有所更改,具体应用前请参阅制造商的最新数据表和资料。如有任何疑问或需要技术支持,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

FCD5N60TF-VB参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FCD5N60TF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCD5N60TF-VB数据手册

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FCD5N60TF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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型号 价格(含增值税)
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