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RF1K49154-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8 在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: RF1K49154-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RF1K49154-VB

RF1K49154-VB概述


    产品简介


    Dual N-Channel 60 V MOSFET
    Dual N-Channel 60 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能、高可靠性的产品,适用于多种工业和消费电子产品中。它采用先进的TrenchFET® 技术制造,具有低导通电阻和高功率处理能力。该产品主要用于电源管理和电机控制等应用领域,能够在极端的工作环境下稳定运行。

    技术参数


    - 最大电压(VDS): 60 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 1.5~2.5 V
    - 最大连续漏极电流(ID): 7 A(TC = 25 °C),4 A(TC = 125 °C)
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 28 A
    - 最大单脉冲雪崩电流(IAS): 18 A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS): 16.2 mJ
    - 最大功率耗散(PD): 4 W(TC = 25 °C),1.3 W(TC = 125 °C)
    - 热阻抗(RthJA): 110 °C/W(PCB安装)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)): 在不同电压和温度条件下,具有极低的导通电阻,显著降低了功耗。
    - 高温稳定性: 能够在-55°C到+175°C的宽广温度范围内正常工作,特别适合于高温环境下的应用。
    - 高可靠性和鲁棒性: 通过了严格的UIS测试和Rg测试,确保在高压和大电流下仍能保持稳定工作。
    - 先进封装技术: 采用SO-8封装形式,体积小、重量轻、易于安装。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理: 作为开关元件用于各种直流-直流转换器、逆变器等。
    - 电机控制: 在电机驱动电路中用作高速开关,提高效率和响应速度。
    - 汽车电子: 适用于汽车电子系统中的电源管理和动力控制系统。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需考虑到MOSFET的导通电阻和栅极电容对电路性能的影响。
    - 为保证电路的稳定运行,建议在散热设计上投入足够的资源,避免由于过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    该MOSFET与常见的PCB布局标准兼容,如SO-8封装形式,易于集成到现有电路板中。厂商提供全面的技术支持和售后保障,包括详细的使用手册和技术咨询热线(400-655-8788),确保客户能够快速解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 导通电阻过高
    - 解决方法: 检查是否正确接线,确认VGS电压满足要求;检查是否工作在极端温度条件下,采取相应的散热措施。

    2. 问题: 功率耗散异常
    - 解决方法: 检查电路是否过载,适当增加散热措施;如果是在高温环境中工作,考虑使用更大散热面积的散热片。

    3. 问题: 纹波电流过大
    - 解决方法: 检查电源滤波电路,确保输出电压稳定;适当增加外部电容以减小输出纹波。

    总结和推荐


    综上所述,Dual N-Channel 60 V MOSFET凭借其优秀的性能指标、稳定的高温工作特性和广泛的适用范围,在电源管理和电机控制等领域中展现出卓越的表现。同时,厂商提供的完善支持和服务使得其成为一款值得信赖的产品。因此,强烈推荐此款MOSFET应用于需要高性能、高可靠性的电子设备中。

RF1K49154-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,32mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6A
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RF1K49154-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RF1K49154-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RF1K49154-VB RF1K49154-VB数据手册

RF1K49154-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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