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2SK3480-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单通道 N 型功率MOSFET,采用Trench技术,适用于电动车辆、工业控制、电源开关和太阳能逆变器等多个领域。100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: 2SK3480-Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3480-Z-VB

2SK3480-Z-VB概述

    2SK3480-Z-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK3480-Z-VB 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有优异的电气特性和可靠性。这种类型的电子元器件广泛应用于电源转换、电机控制、电池管理和照明系统等领域。2SK3480-Z-VB 特别适用于需要高电流和低损耗的应用场景。

    2. 技术参数


    2SK3480-Z-VB 的主要技术参数如下:
    - 额定电压:100 V (VDS)
    - 额定电流:
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C):40 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):35 A
    - 热阻抗:
    - 结点到空气(PCB安装):40 °C/W
    - 结点到外壳(漏极):1.4 °C/W
    - 最大耗散功率:
    - 环境温度为25°C时:127 W
    - 环境温度为25°C且在印刷电路板上安装时:3.75 W
    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C

    3. 产品特点和优势


    2SK3480-Z-VB 具备以下显著特点和优势:
    - 高性能 TrenchFET® Power MOSFETS:这使得该产品具有更低的导通电阻和更高的开关速度。
    - 高温耐受性:175°C 的最高结温使其适用于高温环境下的应用。
    - 低热阻:出色的热阻抗设计提高了散热性能,延长了使用寿命。
    - 可靠性高:符合 RoHS 标准,不含铅,保证环保和长期可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    2SK3480-Z-VB 在以下应用场景中表现出色:
    - 电源转换器:利用其高电流和低损耗特性,可以有效提高电源系统的效率。
    - 电机驱动:其高速开关特性非常适合电机控制。
    - 电池管理:在电池管理系统中用于快速充电和放电控制。
    使用建议:
    - 当使用 2SK3480-Z-VB 时,确保在设计 PCB 时预留足够的散热空间,特别是在高温环境下运行时。
    - 建议在脉冲工作模式下使用时,注意遵守数据表中的脉冲条件限制,避免损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2SK3480-Z-VB 采用标准 TO-220AB 封装,易于与其他标准组件集成。
    - 技术支持:厂商提供全面的技术支持,包括应用指南、故障排查和定期更新的产品信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何确保最佳散热效果?
    - A:选择合适的散热器,确保良好的热传导路径,并使用足够的散热膏以增强热传导。
    - Q:长时间高负载工作是否会降低性能?
    - A:可以通过适当的散热设计来减少热积累,防止过热引起的性能下降。

    7. 总结和推荐


    2SK3480-Z-VB 在设计和性能方面表现优异,尤其适合需要高电流和可靠性的应用场景。其低导通电阻和高耐温性使其成为电源转换、电机控制和电池管理等领域的理想选择。综上所述,强烈推荐使用 2SK3480-Z-VB。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

2SK3480-Z-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 55A
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3480-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3480-Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3480-Z-VB 2SK3480-Z-VB数据手册

2SK3480-Z-VB封装设计

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500+ ¥ 3.1093
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