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K8S06K3L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: K8S06K3L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K8S06K3L-VB

K8S06K3L-VB概述

    # K8S06K3L N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K8S06K3L 是一款高性能的 N 沟道 60V(漏源电压)TrenchFET® 功率 MOSFET,适用于多种直流及交流电力转换和控制场景。其设计采用先进的沟槽工艺,具有出色的导通电阻和开关性能。主要功能包括高效率、低导通损耗、高可靠性和抗雪崩能力,非常适合应用于直流/直流转换器、直流/交流逆变器以及电机驱动等领域。

    技术参数


    以下是 K8S06K3L 的关键技术参数:
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 最大漏极电流 (ID):18A(TC=25°C),14A(TC=70°C)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10V 时为 0.073Ω
    - 在 VGS = 4.5V 时为 0.085Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):19.8nC(典型值)
    - 门限电压 (VGS(th)):1.0V 至 3.0V
    - 封装类型:TO-252(DPAK)
    其他关键参数还包括:
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻 (RthJA):60°C/W(结到环境)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):25A

    产品特点和优势


    K8S06K3L 的核心优势体现在以下几个方面:
    1. 高效率:低导通电阻(RDS(on))确保了高效的能量转换。
    2. 快速开关:总栅极电荷(Qg)低,减少了开关过程中的能量损耗。
    3. 高可靠性:通过了 UIS(雪崩测试)和 Rg 测试,确保了其在极端条件下的稳定运行。
    4. 兼容性好:支持 TO-252 封装,易于集成到现有电路设计中。
    5. 宽温范围:能够在极端温度下正常工作,适应恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC/DC 转换器:利用其低导通电阻和快速开关特性,提升整体效率。
    - 电机驱动:在电机控制电路中,能够显著减少发热,提高系统可靠性。
    - 逆变器:用于光伏逆变器,实现高效能量转换。
    使用建议
    - 散热设计:由于热阻较高(RthJA=60°C/W),建议增加散热片或改善 PCB 散热设计。
    - 驱动电路优化:选择合适的栅极电阻(Rg),以平衡开关速度和功耗。
    - 注意脉冲电流限制:避免长时间运行在大电流状态,以免超过 IDM。

    兼容性和支持


    K8S06K3L 采用标准的 TO-252 封装,与其他同类产品兼容性良好。VBsemi 提供全面的技术支持,包括产品选型指南、应用笔记和技术培训,帮助客户快速部署和优化设计。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理过高的漏极电流?
    答:确保电路设计中加入限流电阻,避免过载。

    2. 问:栅极电荷过高如何改善?
    答:选择合适的栅极电阻(Rg=1Ω~4Ω),平衡开关速度和功耗。
    3. 问:温度过高如何处理?
    答:增加散热措施,如使用更大的散热片或改进 PCB 设计。

    总结和推荐


    综上所述,K8S06K3L 是一款高效、可靠的功率 MOSFET,特别适合在高频开关应用中使用。其低导通电阻、高可靠性和宽温范围使其成为多种电力电子应用的理想选择。强烈推荐在需要高效率和高可靠性的场景中使用该产品。
    推荐指数:★★★★★(5/5)

K8S06K3L-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K8S06K3L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K8S06K3L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K8S06K3L-VB K8S06K3L-VB数据手册

K8S06K3L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
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型号 价格(含增值税)
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