处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK1905-VB

2SK1905-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: 2SK1905-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1905-VB

2SK1905-VB概述

    2SK1905-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    2SK1905-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道100V MOSFET。该产品广泛应用于各种电力电子设备中,如开关电源、逆变器、电机驱动等场合。它具有高电压隔离能力和低热阻的特点,适用于需要高可靠性的工业应用。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 集电极-发射极击穿电压(VDS):100V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.086Ω(VGS = 10V)
    - 总栅极电荷(Qg):72nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):11nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):32nC
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-发射极电压(VDS):100V
    - 门极-源极电压(VGS):±20V
    - 持续漏极电流(TC = 25°C):18A
    - 脉冲漏极电流(IDM):68A
    - 最大功耗(TC = 25°C):48W
    - 热阻抗:
    - 结到环境的最大热阻(RthJA):65°C/W
    - 结到外壳(漏极)的最大热阻(RthJC):3.1°C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):100V
    - 门极-源极阈值电压(VGS(th)):1.0~3.0V
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):≤25µA
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.086Ω
    - 动态参数:
    - 输入电容(Ciss):1700pF
    - 输出电容(Coss):560pF
    - 反向传输电容(Crss):120pF
    - 漏源电容(C):12pF
    - 开启延时时间(td(on)):11ns
    - 上升时间(tr):44ns
    - 关闭延时时间(td(off)):-53ns
    - 下降时间(tf):-43ns
    - 内部漏电感(LD):4.5nH
    - 内部源电感(LS):7.5nH

    3. 产品特点和优势


    - 隔离封装:高电压隔离能力达到2.5kVRMS,适合在高压环境下使用。
    - 高可靠性:支持高达175°C的工作温度,保证了在恶劣环境下的稳定运行。
    - 低热阻:内部结构设计使热阻减小,有助于散热,提升长期稳定性。
    - 兼容无铅工艺:符合RoHS标准,更环保且易于焊接。

    4. 应用案例和使用建议


    - 典型应用:
    - 作为开关电源中的功率开关管,用于调整输出电压。
    - 在电机驱动系统中作为控制开关,提高效率并减少损耗。
    - 使用建议:
    - 在高频应用中,需要注意电容和电感的影响,以避免不必要的噪声干扰。
    - 定期检测散热情况,确保MOSFET保持良好的工作状态。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于大多数常见的电路设计,可以与多种控制器芯片兼容。
    - 支持:VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET过热
    - 解决方案:增加散热片,改善散热条件;选择更高热阻的产品型号。
    - 问题2:启动延迟时间长
    - 解决方案:降低门极电阻,加快信号响应速度。
    - 问题3:噪声干扰严重
    - 解决方案:合理布局电路板,减少外部电磁干扰。

    7. 总结和推荐


    总体来看,2SK1905-VB N-Channel 100-V MOSFET凭借其出色的性能指标和高可靠性,在工业及电力电子领域具备较强的应用前景。建议用户根据具体需求选择合适的产品型号,并遵循制造商的使用指南进行操作,以获得最佳效果。

2SK1905-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK1905-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1905-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1905-VB 2SK1905-VB数据手册

2SK1905-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336