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NCE01H14D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,180A,RDS(ON),3.8mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: NCE01H14D-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE01H14D-VB

NCE01H14D-VB概述

    # N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 是一种高性能的电子元器件,采用 TrenchFET® 技术,具有低导通电阻和高可靠性。主要用于电源管理、驱动电路和其他需要高效能电子开关的应用领域。

    技术参数


    以下为该产品的关键技术参数:
    | 参数 | 型号 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 100 | V |
    | 门源电压 (VGS) | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 (ID) | 180 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM)| 480 | A |
    | 最大单脉冲雪崩电流 (IAS)| 73 | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 (EAS)| 266 | mJ |
    | 最大功率耗散 (PD) | 250 | W |
    | 绝对最大存储温度范围 (Tstg)| -55 至 +175 | °C |
    工作环境
    - 结温范围:-55 至 +175°C
    - 热阻抗:结到散热片(漏)热阻抗 (RthJC) 为 0.6 °C/W
    - 结到环境热阻抗 (RthJA) 为 40 °C/W (PCB 安装)

    产品特点和优势


    1. 高性能 TrenchFET® Power MOSFET:提供低导通电阻和高可靠性。
    2. 低热阻封装:有助于提高散热效率,延长使用寿命。
    3. AEC-Q101 资格认证:适用于汽车电子和其他严苛环境。
    4. 100% 雪崩测试:确保在极端条件下的可靠性和安全性。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电源管理:用于直流/直流转换器、电池充电器等。
    - 驱动电路:如电机驱动器和LED驱动器。
    - 保护电路:用于过流和短路保护。
    使用建议
    1. 散热设计:确保良好的散热措施以保持较低的结温。
    2. 电路布局:合理布置电路板以减少寄生电容的影响。
    3. 参数选择:根据具体应用需求选择合适的参数配置。

    兼容性和支持


    - 兼容性:可广泛应用于多种电子系统,与其他电子元器件兼容。
    - 支持:提供全面的技术支持,包括产品手册、应用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    问题1:发热过高
    解决方案:检查散热设计,确保良好的散热通道。必要时增加散热片或风扇。
    问题2:输出不稳定
    解决方案:检查电路连接和参数设置,确保输入信号符合要求。调整电容值以优化滤波效果。
    问题3:启动延迟
    解决方案:优化门极电阻 (Rg) 和驱动信号,降低门极电荷 (Qg)。

    总结和推荐


    综合评估
    N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 在多个关键指标上表现出色,具备出色的可靠性和稳定性,适合在各种工业和消费电子产品中广泛应用。其卓越的性能和强大的兼容性使其成为理想的电子开关解决方案。
    推荐
    强烈推荐在电源管理和驱动电路中使用这款 MOSFET。它的高性能和稳定性将显著提升系统的整体性能和可靠性。

NCE01H14D-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 180A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3.8mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE01H14D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE01H14D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE01H14D-VB NCE01H14D-VB数据手册

NCE01H14D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
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型号 价格(含增值税)
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