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F1607-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,80V,195A,RDS(ON),3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: F1607-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F1607-VB

F1607-VB概述

    F1607-VB N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    产品简介


    F1607-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于多种电源管理和电机控制应用。其主要功能包括高可靠性、低导通电阻和高速开关能力。F1607-VB 主要应用于电源供应、直流/直流转换器、电动工具、电机驱动、逆变器和电池管理系统等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 80 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | - | 150 | μA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.0028 | 0.0030 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 7910 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 3250 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 348 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 9 | 141 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 31 | - | nC |
    | 栅极电阻 | Rg | 0.28 | 1.4 | 2.8 | Ω |

    产品特点和优势


    1. 高性能 TrenchFET® 技术:F1607-VB 采用先进的 TrenchFET® 技术,实现了非常低的导通电阻和极低的栅极电荷。
    2. 高耐温能力:最大工作温度可达 175°C,确保在高温环境下仍能稳定工作。
    3. 低损耗:非常低的 Qgd 值显著降低了通过 Vplateau 的损耗,提高了效率。
    4. 可靠性测试:100% 的 Rg 和 UIS 测试确保了产品在极端条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    F1607-VB 在多种应用场景中表现出色,如:
    - 电源供应:特别是在二次同步整流中,可以有效降低能耗。
    - 电机驱动:在电机驱动开关中,能够实现快速响应和高效能。
    使用建议:
    - 确保安装在散热良好的环境中以维持长期稳定性。
    - 使用合适的电路布局以最小化寄生电感,从而减少噪声干扰。

    兼容性和支持


    F1607-VB 具有良好的兼容性,适用于标准 TO-220AB 封装。VBsemi 提供全面的技术支持和维护服务,确保客户能够获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    1. 如何确保 F1607-VB 在高温环境下的稳定性?
    - 答:确保安装在具有良好散热效果的环境中,使用散热片或风扇等辅助散热设备。
    2. F1607-VB 的最大脉冲电流是多少?
    - 答:F1607-VB 的最大脉冲电流为 600A(持续时间 100μs)。

    总结和推荐


    综上所述,F1607-VB N-Channel 80V MOSFET 在设计和性能上表现卓越,具备优异的耐温性能和低损耗特性。适合于需要高可靠性和高效能的应用场合。我们强烈推荐此产品用于电源管理和电机驱动等关键应用领域。
    联系方式:
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官方网站:www.VBsemi.com

F1607-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 195A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,3.6mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

F1607-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F1607-VB数据手册

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F1607-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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