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JCS9N50VC-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,7A,RDS(ON),700mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: JCS9N50VC-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS9N50VC-VB

JCS9N50VC-VB概述

    JCS9N50VC N-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    JCS9N50VC 是一种高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应系统(SMPS)、功率因数校正电源供应系统(PFC)以及工业照明等领域。此款 MOSFET 具备低导通电阻和高效率的特点,使其成为众多高要求应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 额定电压:650 V
    - 最大漏源电流(TJ = 150°C):8 A(@ 10 V VGS)
    - 最大栅源电压:± 30 V
    - 绝对最大栅源漏电压:650 V
    - 动态性能
    - 输入电容(Ciss):≤ 147 pF
    - 输出电容(Coss):≤ 14.8 pF
    - 反向转移电容(Crss):≤ 10 pF
    - 有效输出电容,时间相关(Co(tr)):-
    - 有效输出电容,能量相关(Co(er)):-
    - 总栅极电荷(Qg):≤ 32 nC
    - 静态性能
    - 导通电阻(RDS(on)):≤ 0.7 Ω @ 10 V VGS
    - 开启时间延迟(td(on)):-
    - 关闭时间延迟(td(off)):-
    - 上升时间(tr):-
    - 下降时间(tf):-
    - 热阻抗
    - 结到环境的最大热阻(RthJA):63°C/W
    - 结到外壳的最大热阻(RthJC):0.6°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低 FOM(优值系数):Ron x Qg 的组合使得该 MOSFET 在低损耗和高效能之间取得了平衡。
    - 低输入电容(Ciss):有助于减少栅极驱动电路的功耗,提高系统的整体效率。
    - 降低开关和传导损耗:得益于优秀的电容特性和低导通电阻。
    - 超低栅极电荷(Qg):进一步降低驱动损耗,提高系统效率。
    - 重复冲击耐受能力(UIS):能够承受瞬态高压冲击,提高系统的可靠性和寿命。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 服务器和电信电源:由于其高耐压能力和低导通电阻,适用于此类需要高效转换和稳定供电的应用。
    - LED 照明:低栅极电荷和高可靠性使其在照明应用中表现优异。
    - 工业控制:广泛应用于需要快速开关和高可靠性的工业控制系统中。
    - 使用建议:
    - 散热设计:由于较高的结温范围,合理的散热设计是必要的,以避免因过热导致的失效。
    - 电路布局:应考虑低杂散电感的设计,以减少开关过程中的寄生振荡和噪声干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 封装兼容性:该产品提供了多种封装选项,如 TO-220AB、TO-252 和 TO-251,便于不同应用场景下的集成。
    - 厂商支持:VBsemi 提供全面的技术支持和售后维护服务,确保客户在使用过程中能够获得及时的帮助和指导。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:开关过程中出现异常的电压波动。
    - 解决方案:检查电路布局是否合理,确保低杂散电感设计,优化栅极驱动电路,适当增加外部电容以抑制电压波动。

    - 问题二:器件过热导致失效。
    - 解决方案:改善散热设计,确保良好的热传导路径,使用散热片或热管进行辅助散热。

    7. 总结和推荐


    综上所述,JCS9N50VC N-Channel Power MOSFET 具有出色的性能和广泛的应用范围。其低 FOM、低栅极电荷和重复冲击耐受能力使其成为许多高要求应用的首选。推荐在需要高效、高可靠性的场合中使用。通过遵循正确的使用建议和注意事项,用户可以充分发挥其潜力,确保系统的稳定性和长期可靠性。

JCS9N50VC-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS9N50VC-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS9N50VC-VB数据手册

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JCS9N50VC-VB封装设计

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