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NCE7190-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: NCE7190-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE7190-VB

NCE7190-VB概述

    NCE7190A N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE7190A 是一款由台湾 VBsemi 电子公司生产的 N-Channel 80V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 基于先进的 TrenchFET® 技术设计,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,使其成为多种电力转换和开关应用的理想选择。主要应用包括主侧开关、同步整流、直流/交流逆变器及 LED 背光照明等领域。

    技术参数


    以下是 NCE7190A 的主要技术参数:
    - 电压规格:
    - 漏极-源极电压 (VDS): 80V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): 1μA (最大)

    - 电流规格:
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时:100A
    - TC = 70°C 时:28.6A (最大)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 30A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 45mJ

    - 功率规格:
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C 时:180W
    - TC = 70°C 时:120W

    - 热阻抗:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 15°C/W (最大)
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.85°C/W (典型值)
    - 操作温度范围:
    - 操作结温 (TJ): -55°C 至 150°C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:经过 100% Rg 和 UIS 测试,确保产品质量可靠。
    2. 低导通电阻:在 VGS = 10V 时,RDS(on) 仅为 7mΩ,在 VGS = 4.5V 时为 9mΩ,提供出色的电流处理能力。
    3. 快速开关特性:优秀的动态响应,如:关断延迟时间 (td(off)) 在 10V 下仅为 30ns。
    4. 优异的热管理:具备较低的结到环境热阻 (RthJA),便于散热,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    NCE7190A 主要应用于电源管理和电力转换系统中,例如:
    - LED 照明:作为高效率的开关器件,用于驱动 LED 灯具。
    - DC/AC 逆变器:在逆变器系统中实现高效的直流到交流转换。
    使用建议:
    1. 散热设计:由于该 MOSFET 具有较高的功耗,建议采用良好的散热措施,如加装散热片或风扇。
    2. 栅极驱动:使用适当的栅极电阻 (Rg) 来控制驱动信号的速度,防止高速信号造成不必要的损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于常见的直流电源和控制系统。
    - 技术支持:厂商提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南和技术论坛,以帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 过温保护问题:如出现过温报警,应检查散热措施是否得当,必要时更换更大尺寸的散热片。
    2. 电流过载:如果发现电流过大导致故障,需要重新评估系统的电流负载,并考虑使用更高额定值的 MOSFET。

    总结和推荐


    综上所述,NCE7190A 是一款高效可靠的 N-Channel 80V MOSFET,适合广泛的应用场景,尤其是在电力管理和高效率开关应用中表现出色。尽管初期成本可能较高,但从长期角度来看,其优异的性能和低损耗特性将带来显著的成本节约。因此,强烈推荐使用 NCE7190A 作为高性能电力应用的核心组件。

NCE7190-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NCE7190-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE7190-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE7190-VB NCE7190-VB数据手册

NCE7190-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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