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F9NK60ZD-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: F9NK60ZD-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F9NK60ZD-VB

F9NK60ZD-VB概述

    # F9NK60ZD-VB 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    F9NK60ZD-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高压应用。该器件以其低导通电阻、低输入电容、低开关和传导损耗等特性著称,适用于多种高功率应用场合,如服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及各种照明系统和工业控制设备。

    技术参数


    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \)(在 25°C 和 VGS = 10V 时): 0.882Ω
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±30V
    - 连续漏电流 \( ID \)(在 25°C 和 VGS = 10V 时): 4.0A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 100mJ
    - 极限功耗 \( PD \): 57W
    - 热阻 \( R{thJA} \): 63°C/W
    - 绝对最大额定值:650V(漏源电压)
    - 雪崩能量 \( E{AS} \): 100mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 57W
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 封装形式: TO-220 FULLPAK

    产品特点和优势


    F9NK60ZD-VB 的主要特点是其低栅极电荷(\( Qg \)),低输入电容(\( C{iss} \)),以及在高压应用中的优异表现。这些特性使得该器件能够显著减少开关损耗和传导损耗,在高效率电力转换系统中表现出色。此外,该器件具有高可靠性,适合长时间运行,是高功率应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 开关模式电源供应器(SMPS)
    - 功率因数校正电源供应器(PFC)
    - 高强度放电(HID)灯具
    - 荧光灯镇流器
    使用建议
    1. 在使用时应确保散热良好,以避免过热损坏。
    2. 在高压应用中,应注意电压浪涌保护,避免瞬态电压损坏器件。
    3. 使用该器件进行设计时,建议参考技术手册中的典型应用电路,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    F9NK60ZD-VB 器件与市面上常见的 PCB 设计标准兼容。制造商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和故障排查手册,确保用户能够在不同应用中轻松部署该器件。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 发现漏电流过高 | 检查焊接是否正确,确保器件与 PCB 良好连接 |
    | 噪声过大 | 检查电路布局,确保没有寄生电感,必要时增加旁路电容 |
    | 器件温度过高 | 改善散热条件,考虑增加散热片 |

    总结和推荐


    F9NK60ZD-VB 功率 MOSFET 凭借其低损耗、高可靠性和广泛的应用范围,成为高功率应用中的优秀选择。无论是服务器电源、电信设备还是工业控制系统,这款器件都能提供卓越的性能。我们强烈推荐该产品给需要高性能、高可靠性的高功率应用领域的工程师和设计师。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系台湾 VBsemi 客服中心:400-655-8788,访问官网 www.VBsemi.com 获取更多信息。

F9NK60ZD-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

F9NK60ZD-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

F9NK60ZD-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F9NK60ZD-VB F9NK60ZD-VB数据手册

F9NK60ZD-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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