处理中...

首页  >  产品百科  >  RU40230S-VB

RU40230S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: RU40230S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RU40230S-VB

RU40230S-VB概述

    RU40230S N-Channel 4 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    RU40230S 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N-沟道 MOSFET,适用于同步整流和电源供应等领域。该器件具有高可靠性,能够在多种应用中提供卓越的性能。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):4 V
    - 门源电压 (VGS):±25 V
    - 连续漏电流 (TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C 时:150 A
    - TC = 70 °C 时:120 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):380 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):80 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):320 mJ
    - 连续源极-漏极二极管电流 (IS):110 A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25 °C 时:312 W
    - TC = 70 °C 时:200 W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 150°C

    产品特点和优势


    - 高可靠性:通过 100% Rg 和 UIS 测试验证。
    - 低导通电阻:在 VGS = 10 V 下 RDS(on) 为 0.0017 Ω,在 VGS = 4.5 V 下 RDS(on) 为 0.0025 Ω。
    - 高阈值电压稳定性:VGS(th) 温度系数为 -8 mV/°C。
    - 优异的开关特性:快速的上升时间和下降时间,典型值分别为 11 ns 和 10 ns。
    - 紧凑封装:D2PAK (TO-263) 封装,适合表面贴装。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:广泛应用于电源管理、电池充电器、逆变器等电力电子系统中。
    - 使用建议:在高温环境下使用时需注意散热设计,避免因过热导致性能下降。建议使用大尺寸铜箔板以提高散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件采用标准 D2PAK 封装,易于与其他电子元器件和设备集成。
    - 支持:制造商提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:导通电阻过高
    - 解决办法:检查门源电压是否足够高,确保 VGS 大于阈值电压。
    - 问题 2:温度过高
    - 解决办法:优化散热设计,确保在高温环境下正常工作。
    - 问题 3:电流不稳定
    - 解决办法:检查电路连接是否正确,确认外部电源稳定。

    总结和推荐


    RU40230S N-沟道 MOSFET 是一款出色的电力电子器件,具有出色的导通电阻和开关性能,非常适合在高压、大电流应用中使用。考虑到其高可靠性和丰富的技术参数,强烈推荐用于电源管理和工业控制系统中。
    如果您对RU40230S有任何疑问,欢迎拨打我们的服务热线:400-655-8788。

RU40230S-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 180A
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

RU40230S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RU40230S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RU40230S-VB RU40230S-VB数据手册

RU40230S-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
800+ ¥ 4.9667
库存: 400000
起订量: 10 增量: 800
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 58.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0