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RU30100R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: RU30100R-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) RU30100R-VB

RU30100R-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    主要功能:作为功率开关,在各种应用中提供高效的电流控制和电源管理。
    应用领域:
    - OR-ing:用于电源管理系统中的电源切换。
    - 服务器:服务器中的电源管理和热插拔功能。
    - DC/DC转换器:用于高效稳定的直流电转换。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \):30V
    - 栅源电压 \( V{GS} \):±20V
    - 连续漏极电流(\( TJ = 175 ^\circ \text{C} \))
    - 在 \( TC = 25^\circ \text{C} \) 下:120A
    - 在 \( TC = 70^\circ \text{C} \) 下:60A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):380A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \):36A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):64.8V
    - 连续源漏二极管电流 \( IS \):90A(在 \( TC = 25^\circ \text{C} \) 下)
    - 最大功率耗散
    - 在 \( TC = 25^\circ \text{C} \) 下:250W
    - 在 \( TC = 70^\circ \text{C} \) 下:175W
    - 工作结温范围:\(-55^\circ \text{C}\) 到 \(175^\circ \text{C}\)
    - 热阻率
    - 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \):40 \(^\circ \text{C}/\text{W}\)
    - 最大结到外壳热阻 \( R{thJC} \):0.6 \(^\circ \text{C}/\text{W}\)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \):30V(在 \( V{GS} = 0V \),\( ID = 250 \mu\text{A} \) 下)
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \):1.0V 至 2.5V(在 \( ID = 250 \mu\text{A} \) 下)
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \):3100pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):725pF
    - 逆向传输电容 \( C{rss} \):370pF
    - 总栅电荷 \( Qg \):171 至 257nC
    - 开启延迟时间 \( td(on) \):18 至 27ns

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:通过TrenchFET®技术实现低导通电阻,提高效率。
    - 稳定性高:所有产品均经过100% Rg和UIS测试,确保可靠性和长期稳定性。
    - 绿色环保:符合RoHS指令2011/65/EU,适合环保要求严格的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 服务器电源系统:利用其高效和可靠的特性进行热插拔控制。
    - DC/DC转换器:适用于需要稳定和高效直流电源转换的应用。

    - 使用建议:
    - 在设计电路时,确保散热措施到位,避免因过热导致的可靠性问题。
    - 根据具体应用环境选择合适的电压和电流等级,避免过载。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准的TO-220AB封装,易于与其他常见的电子元器件集成。
    - 厂商支持:台湾VBsemi公司提供技术支持和维护服务,可通过服务热线400-655-8788获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间工作温度过高
    - 解决方案:增加散热片或使用外部风扇,提高散热效果。
    - 问题2:电流超过额定值
    - 解决方案:降低输入电压或增大电路中的限流电阻,减少电流通过。
    - 问题3:开关频率不稳定
    - 解决方案:检查驱动信号的质量,优化栅极电阻设置。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:高效率、高可靠性、良好的散热性能,适用于多种应用场景。
    - 推荐:强烈推荐给需要高性能和高可靠性的电子系统设计师。对于需要严格遵守环保标准的项目,也是一个很好的选择。
    总之,这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其卓越的技术特性和广泛的应用领域,无疑是一个值得信赖的选择。

RU30100R-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 120A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

RU30100R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

RU30100R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 RU30100R-VB RU30100R-VB数据手册

RU30100R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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