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IRLH5034TR2PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,40V,123A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
供应商型号: IRLH5034TR2PBF-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLH5034TR2PBF-VB

IRLH5034TR2PBF-VB概述

    IRLH5034TR2PBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRLH5034TR2PBF-VB 是一款由 VBsemi 生产的N沟道40V MOSFET,采用TrenchFET®技术制造。它适用于同步整流和次级侧DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有高可靠性,并通过了100%的阻抗测试和雪崩耐受性测试。

    2. 技术参数


    以下是IRLH5034TR2PBF-VB的关键技术规格:
    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):40V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):120A(25°C时)
    - 脉冲漏极电流(IMD):360A
    - 最大功率耗散(PD):83W(25°C时)
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):在10V栅源电压下为0.0025Ω,在6.5V栅源电压下为0.0028Ω
    - 总栅电荷(Qg):20A时为78nC
    - 输入电容(Ciss):4750pF
    - 输出电容(Coss):610pF
    - 反向转移电容(Crss):275pF
    - 热阻率
    - 最大结点至环境的热阻率(RthJA):18°C/W(25°C时)
    - 最大结点至外壳的热阻率(RthJC):1.0°C/W

    3. 产品特点和优势


    IRLH5034TR2PBF-VB的主要特点是其采用的TrenchFET®技术,这使得其具备更低的导通电阻和更高的开关速度。此外,100%的阻抗测试和雪崩耐受性测试确保了其在严苛环境下的可靠性和耐用性。这些特性使其非常适合应用于高效率的电源转换和电机控制等领域。

    4. 应用案例和使用建议


    IRLH5034TR2PBF-VB广泛应用于各种需要高效能和高可靠性的电路设计中,例如同步整流、DC/DC转换器等。在具体使用中,用户需注意其散热设计,以避免因过热导致的性能下降。合理的PCB布局和有效的散热管理是关键。此外,使用多层板可以提供更好的热传导性能,有助于提高其工作稳定性和寿命。

    5. 兼容性和支持


    IRLH5034TR2PBF-VB与市面上大多数标准的PCB设计和焊接工艺兼容,用户无需担心与其他电子元器件的兼容问题。VBsemi提供了详尽的技术支持文档和在线服务热线(400-655-8788),以便用户在使用过程中遇到任何问题时能够及时获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的常见问题及相应的解决方案:
    - 问题1:MOSFET过热
    - 解决方案:检查并优化散热设计,确保良好的空气流通和足够的散热面积。

    - 问题2:导通电阻异常
    - 解决方案:确认栅源电压是否达到规定的阈值,调整驱动电路确保栅源电压符合要求。
    - 问题3:高频工作不稳定
    - 解决方案:优化PCB布局,减少寄生电感和电容的影响,确保信号完整性和稳定性。

    7. 总结和推荐


    总体来看,IRLH5034TR2PBF-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,适用于多种应用场合。其低导通电阻、高开关速度和100%的测试保证了其在各种应用中的优异表现。对于寻求高效能、高可靠性电子元件的设计工程师来说,IRLH5034TR2PBF-VB是一个理想的选择。强烈推荐在需要高效电源管理和电机控制的应用中使用此产品。

IRLH5034TR2PBF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 123A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRLH5034TR2PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLH5034TR2PBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLH5034TR2PBF-VB IRLH5034TR2PBF-VB数据手册

IRLH5034TR2PBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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